微腔半导体激光器

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	微腔半导体激光器
其他题名	微腔半导体激光器
	宁永强; 刘云; 刘星元; 王立军; 武胜利; 吴东江; 赵家民; 潘玉寨; 索辉; 曹昌盛
	2001-03-07
专利权人	中国科学院长春物理研究所
公开日期	2001-03-07
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型属于光电子技术领域,涉及一种环型结构的微腔半导体激光器。在量子阱有源区的上面为P型波导层下面为n型波导层。在P型波导层和金属合金电极之间是上电极欧姆接触层,上电极欧姆接触是高掺杂的。n型波导层的上部同量子阱有源层,P型波导层,上电极欧姆接触层,金属合金电极形成圆环形结构或圆碟形结构。在圆环形或圆碟形结构上引出Y型分束器,微腔的形状象数字“9”。由于环型微腔对光场模式分布的调制,充分降低电流阀值。激光由Y型分束器由一个端口水平输出,便于大规模集成。
其他摘要	本实用新型属于光电子技术领域,涉及一种环型结构的微腔半导体激光器。在量子阱有源区的上面为P型波导层下面为n型波导层。在P型波导层和金属合金电极之间是上电极欧姆接触层,上电极欧姆接触是高掺杂的。n型波导层的上部同量子阱有源层,P型波导层,上电极欧姆接触层,金属合金电极形成圆环形结构或圆碟形结构。在圆环形或圆碟形结构上引出Y型分束器,微腔的形状象数字“9”。由于环型微腔对光场模式分布的调制,充分降低电流阀值。激光由Y型分束器由一个端口水平输出,便于大规模集成。
主权项	一种微腔半导体激光器是由金属合金电板(1)，上电极欧姆接触层(2)，P型波导层(3)，量子阱有源层(4)，n型波导层(5)，n+衬底(6)和下电极(7)等组成，其特征是量子阱有源层(4)的上下两面分别是P型波导层(3)和n型波导层(5)，n型波导层(5)的上部同量子阱有源层(4)，P型波导层(3)，上电极欧姆接触层(2)和金属合金电极(1)形成圆环形或圆碟形结构；在圆环形或圆碟型结构上引出Y型分束器(8)。
申请日期	1999-11-12
专利号	CN2422761Y
专利状态	失效
申请号	CN99253154.3
公开（公告）号	CN2422761Y
IPC 分类号	H01S5/00
专利代理人	李恩庆
代理机构	中国科学院长春专利事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46422
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院长春物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	宁永强,刘云,刘星元,等. 微腔半导体激光器. CN2422761Y[P]. 2001-03-07.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN2422761Y.PDF（160KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文