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基于重构-等效啁啾技术制备半导体激光器的方法及装置
其他题名基于重构-等效啁啾技术制备半导体激光器的方法及装置
陈向飞
2008-12-17
专利权人南京威宁锐克信息技术有限公司
公开日期2008-12-17
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要基于重构—等效啁啾技术制备分布反馈半导体激光器的方法,采用取样布拉格光栅结构,即分布反馈半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅,取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅;分布反馈半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅的作用带宽里,等效光栅由重构—等效啁啾技术(REC技术)来设计和制作,取样布拉格光栅具有多个影子光栅,影子光栅之间的波长间隔反比于取样周期和分布反馈半导体激光器波导的有效折射率。本发明易于实现的亚微米级精度上可以实现各种复杂的等效相移,即对应的等效光栅具有λ/4相移。这个等效相移与具有纳米、亚纳米精度的真实相移所起的作用一样。可以避免制作相移光栅的复杂工艺。
其他摘要基于重构—等效啁啾技术制备分布反馈半导体激光器的方法,采用取样布拉格光栅结构,即分布反馈半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅,取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅;分布反馈半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅的作用带宽里,等效光栅由重构—等效啁啾技术(REC技术)来设计和制作,取样布拉格光栅具有多个影子光栅,影子光栅之间的波长间隔反比于取样周期和分布反馈半导体激光器波导的有效折射率。本发明易于实现的亚微米级精度上可以实现各种复杂的等效相移,即对应的等效光栅具有λ/4相移。这个等效相移与具有纳米、亚纳米精度的真实相移所起的作用一样。可以避免制作相移光栅的复杂工艺。
主权项基于重构-等效啁啾技术制备分布反馈半导体激光器的方法,其特征在于采用取样布拉格光栅结构,即分布反馈半导体激光器波导里的光栅是取样布拉格光栅,取样布拉格光栅含有对应普通布拉格光栅的等效光栅;分布反馈半导体激光器的激射波长在此取样布拉格光栅的等效光栅的作用带宽里,等效光栅由重构-等效啁啾技术来设计和制作,取样布拉格光栅具有多个影子光栅,影子光栅之间的波长间隔反比于取样周期和分布反馈半导体激光器波导的有效折射率。
申请日期2006-03-09
专利号CN100444482C
专利状态授权
申请号CN200610038728.9
公开(公告)号CN100444482C
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/12 | H01S5/323 | H01S5/343
专利代理人汤志武 | 王鹏翔
代理机构南京天翼专利代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46398
专题半导体激光器专利数据库
作者单位南京威宁锐克信息技术有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
陈向飞. 基于重构-等效啁啾技术制备半导体激光器的方法及装置. CN100444482C[P]. 2008-12-17.
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