光発生装置及びその製造方法

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	光発生装置及びその製造方法
其他题名	光発生装置及びその製造方法
	北岡康夫; 山本和久; 加藤誠; 宇野智昭
	2003-12-26
专利权人	松下電器産業株式会社
公开日期	2004-03-15
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	(修正有) 【課題】簡単な光学調整で半導体レーザ光を光導波路型光機能デバイス上の光導波路に結合することができ、且つ半導体レーザチップが発熱しても安定な動作特性を維持できる、超小型光発生装置を実現する。【解決手段】 L字型のサブマウント16の第1の部分16Aの材料はAlNセラミックスであり、第2の部分16Bの材料はZrO2セラミックスである。サブマウント16の上の第1の面(16A’)の基準線C(第2の面16B’に含まれる)より1μm離れた位置に半導体レーザチップ1の活性層2の発光領域が一致するように、半導体レーザチップ1をサブマウント16の上に固定する。さらに、光導波路型SHGデバイス9を、サブマウント16の第2の面16B’の上で矢印方向に一軸位置合わせ調整して、半導体レーザチップ1の光を光導波路10に結合させる。
其他摘要	要解决的问题：提供一种微小型光发生器，其能够将半导体激光束耦合到光波导型光学功能器件上的光波导，并且具有简单的光学调整并且即使半导体激光器芯片产生热量也能保持稳定的操作特性。解决方案：L形子底座16的第一部分16A的材料是AlN陶瓷，第二部分16B的材料是ZrO2陶瓷。将半导体激光器芯片1固定到子底座16上，使得半导体激光器芯片1的有源层2的发光区域与参考线C相隔1μm的位置对准（包括在在子安装座16上的第一表面16A'的第二表面16B'）。此外，通过调节光波导型SHG（二次谐波）的单轴对准，半导体激光器芯片1的光耦合到光波导10。在子底座16的第二表面16B'上沿箭头方向产生装置9。
主权项	-
申请日期	1996-11-15
专利号	JP3506304B2
专利状态	失效
申请号	JP1996305363
公开（公告）号	JP3506304B2
IPC 分类号	G02F1/37 \| G02B \| G02B6/30 \| H01S \| G02B6/42 \| G02B6/32 \| G02B6/13 \| G02F \| H01S5/022 \| H01S5/00
专利代理人	山本秀策
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46267
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	松下電器産業株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	北岡康夫,山本和久,加藤誠,等. 光発生装置及びその製造方法. JP3506304B2[P]. 2003-12-26.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3506304B2.PDF（1191KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文