Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 発光ダイオード | |
| 其他题名 | 発光ダイオード |
| 菅原 秀人; 板谷 和彦 | |
| 2002-11-22 | |
| 专利权人 | 株式会社東芝 |
| 公开日期 | 2003-02-04 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 InGaAlP等からなる量子井戸構造発光部における発光効率を改善することができ、輝度向上をはかり得る半導体発光装置を提供すること。 【構成】 n-GaAs基板11と、この基板11上に形成されたn-InGaAlPクラッド層12と、このクラッド12層上に形成された、量子井戸層13aを障壁層13bで挟んだ量子井戸構造からなる発光層13と、この発光層13上に形成されたp-InGaAlPクラッド層14とを具備し、基板11と反対側の面上から光を取り出すLEDにおいて、発光層13を成す量子井戸構造の量子井戸層13aの層数を10以上としたことを特徴とする。 |
| 其他摘要 | 目的：提供一种半导体发光器件，其可以改善其由InGaAlP等构成的发光部分的亮度和发光效率，并具有量子阱结构。组成：标题设备具有n-GaAs衬底11，形成在衬底11上的n-InGaAlP覆层12，发光层13，其形成在层12上并具有量子阱层结构，其中量子阱层13a在阻挡层13b和形成在层13上的p-InGaAlP包覆层14之间。在LED中，另外，从基板11的相对侧的表面发射光，量子阱层13a的数量。构成发光层13的量子阱结构设定为> = 10。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 1992-09-30 |
| 专利号 | JP3373561B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1992262115 |
| 公开（公告）号 | JP3373561B2 |
| IPC 分类号 | H01S5/343 | H01L | H01L33/40 | H01S5/00 | H01L33/06 | H01S5/18 | H01L21/203 | H01L33/14 | H01L33/30 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 鈴江 武彦 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46222 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 秀人,板谷 和彦. 発光ダイオード. JP3373561B2[P]. 2002-11-22. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3373561B2.PDF（34KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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