II-VI族半導体結晶成長方法と半導体レーザ装置の製造方法

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	II-VI族半導体結晶成長方法と半導体レーザ装置の製造方法
其他题名	II-VI族半導体結晶成長方法と半導体レーザ装置の製造方法
	倉本大
	1997-08-08
专利权人	日本電気株式会社
公开日期	1997-11-26
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】 II-VI族半導体結晶における,選択的な結晶成長や埋め込みレーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板1に誘電体膜2と,それ以外の部分である半導体表面層3をフォトリソグラフィ技術により形成した後,MBE法によりII-VI族化合物半導体をエピタキシャル成長させると,誘電体膜2上にはアモルファス層4,そして半導体表面層3上にはエピタキシャル層5が形成される。更に,エチルアルコール液中での超音波洗浄によりエピタキシャル層5に,何等ダメージを与えず容易に誘電体膜2上のアモルファス層4を除去し,選択的なエピタキシャル層5が得られる。
其他摘要	要解决的问题：为II-VI族半导体晶体中的嵌入式激光器件提供选择性晶体生长和制造方法。解决方案：在GaAs衬底1上通过光刻技术形成作为另一部分的介电膜2和半导体表面层3，之后，通过MBE方法对II-VI族化合物半导体进行外延生长，然后对非晶层4进行外延生长。在电介质膜2上形成外延层5，在半导体表面层3上形成外延层5.另外，容易除去电介质膜2上的非晶质层4，通过超声波清洗可选择性地得到外延层5。在乙醇溶液中，对外延层5没有损伤。
主权项	-
申请日期	1995-09-18
专利号	JP2682519B2
专利状态	失效
申请号	JP1995238174
公开（公告）号	JP2682519B2
IPC 分类号	H01L21/363 \| H01L \| H01S \| H01L21/304 \| H01L21/203 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	後藤洋介 (外2名)
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46119
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	日本電気株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	倉本大. II-VI族半導体結晶成長方法と半導体レーザ装置の製造方法. JP2682519B2[P]. 1997-08-08.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP2682519B2.PDF（28KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文