半導體雷射裝置及其製造方法

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	半導體雷射裝置及其製造方法
其他题名	半導體雷射裝置及其製造方法
	島顯洋; 西口晴美; 本善史; 坂本善史
	2001-07-21
专利权人	三菱電機股份有限公司
公开日期	2001-07-21
授权国家	中国台湾
专利类型	授权发明
摘要	本發明是用以形成逆向之二極體之內部狹窄構造之半導體雷射，在電極和接觸層之間存在有高電阻層，用來產生與上述二極體之寄生電容具有串聯關係之寄生電容，藉以具有高速回應性，並且，在接觸層不會有橫方向之電流流動，藉以確保上述之回應穩定性，其中具備有：第l導電型之半導體基板; 第l導電型半導體之第l包蓋層，被設在該半導體基板上; 活性層，被設在該第l包蓋層之上; 第2導電型半導體之第2包蓋層，被設在該活性層上,依照共振器軸方向延長，具有用以形成發光條帶之剖面為台面狀之第l部份、和在該第l部份之兩側延伸之第2部份;電流狹窄用之電流阻擋層，鄰接該第2包蓋層之上述第l部份之兩側，由用以形成上述之第2導電型半導體之第2部份和二極體之第l導電型半導體構成; 第2導電型之第l半導體層，被設在該電流阻擋層之上;第l高電阻部，在上述第l半導體層之底部位置或其近傍位置，成為與上述之電流阻擋層面對，以比其幅度狹之幅度延伸，用來形成電流狹窄用之開口，並且，用來限制在第 l半導體層中橫方向流動之電流; 第2高電阻部，被設在上述之第l半導體層表面，形成比上述之第l高電阻部更遠離上述之電流阻擋層，並且，被包夾在電極之間;和電極層，經由上述之第l高電阻部所形成之電流狹窄用之開口，用來與第l半導體層接觸。
其他摘要	本發明是用以形成逆向之二極體之內部狹窄構造之半導體雷射，在電極和接觸層之間存在有高電阻層，用來產生與上述二極體之寄生電容具有串聯關係之寄生電容，藉以具有高速回應性，並且，在接觸層不會有橫方向之電流流動，藉以確保上述之回應穩定性，其中具備有：第l導電型之半導體基板; 第l導電型半導體之第l包蓋層，被設在該半導體基板上; 活性層，被設在該第l包蓋層之上; 第2導電型半導體之第2包蓋層，被設在該活性層上,依照共振器軸方向延長，具有用以形成發光條帶之剖面為台面狀之第l部份、和在該第l部份之兩側延伸之第2部份;電流狹窄用之電流阻擋層，鄰接該第2包蓋層之上述第l部份之兩側，由用以形成上述之第2導電型半導體之第2部份和二極體之第l導電型半導體構成; 第2導電型之第l半導體層，被設在該電流阻擋層之上;第l高電阻部，在上述第l半導體層之底部位置或其近傍位置，成為與上述之電流阻擋層面對，以比其幅度狹之幅度延伸，用來形成電流狹窄用之開口，並且，用來限制在第 l半導體層中橫方向流動之電流; 第2高電阻部，被設在上述之第l半導體層表面，形成比上述之第l高電阻部更遠離上述之電流阻擋層，並且，被包夾在電極之間;和電極層，經由上述之第l高電阻部所形成之電流狹窄用之開口，用來與第l半導體層接觸。
主权项	-
申请日期	2000-04-27
专利号	TW447185B
专利状态	失效
申请号	TW089107974
公开（公告）号	TW447185B
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/00 \| H01S5/227 \| H01S3/18
专利代理人	賴經臣
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46105
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱電機股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	島顯洋,西口晴美,本善史,等. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW447185B[P]. 2001-07-21.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
TW447185B.PDF（2004KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文