Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半導體雷射裝置及其製造方法 | |
其他题名 | 半導體雷射裝置及其製造方法 |
島顯洋; 西口晴美; 本善史; 坂本善史 | |
2001-07-21 | |
专利权人 | 三菱電機股份有限公司 |
公开日期 | 2001-07-21 |
授权国家 | 中国台湾 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 本發明是用以形成逆向之二極體之內部狹窄構造之半導體雷射,在電極和接觸層之間存在有高電阻層,用來產生與上述二極體之寄生電容具有串聯關係之寄生電容,藉以具有高速回應性,並且,在接觸層不會有橫方向之電流流動,藉以確保上述之回應穩定性,其中具備有: 第l導電型之半導體基板; 第l導電型半導體之第l包蓋層,被設在該半導體基板上; 活性層,被設在該第l包蓋層之上; 第2導電型半導體之第2包蓋層,被設在該活性層上,依照共振器軸方向延長,具有用以形成發光條帶之剖面為台面狀之第l部份、和在該第l部份之兩側延伸之第2部份;電流狹窄用之電流阻擋層,鄰接該第2包蓋層之上述第l部份之兩側,由用以形成上述之第2導電型半導體之第2部份和二極體之第l導電型半導體構成; 第2導電型之第l半導體層,被設在該電流阻擋層之上;第l高電阻部,在上述第l半導體層之底部位置或其近傍位置,成為與上述之電流阻擋層面對,以比其幅度狹之幅度延伸,用來形成電流狹窄用之開口,並且,用來限制在第 l半導體層中橫方向流動之電流; 第2高電阻部,被設在上述之第l半導體層表面,形成比上述之第l高電阻部更遠離上述之電流阻擋層,並且,被包夾在電極之間;和 電極層,經由上述之第l高電阻部所形成之電流狹窄用之開口,用來與第l半導體層接觸。 |
其他摘要 | 本發明是用以形成逆向之二極體之內部狹窄構造之半導體雷射,在電極和接觸層之間存在有高電阻層,用來產生與上述二極體之寄生電容具有串聯關係之寄生電容,藉以具有高速回應性,並且,在接觸層不會有橫方向之電流流動,藉以確保上述之回應穩定性,其中具備有: 第l導電型之半導體基板; 第l導電型半導體之第l包蓋層,被設在該半導體基板上; 活性層,被設在該第l包蓋層之上; 第2導電型半導體之第2包蓋層,被設在該活性層上,依照共振器軸方向延長,具有用以形成發光條帶之剖面為台面狀之第l部份、和在該第l部份之兩側延伸之第2部份;電流狹窄用之電流阻擋層,鄰接該第2包蓋層之上述第l部份之兩側,由用以形成上述之第2導電型半導體之第2部份和二極體之第l導電型半導體構成; 第2導電型之第l半導體層,被設在該電流阻擋層之上;第l高電阻部,在上述第l半導體層之底部位置或其近傍位置,成為與上述之電流阻擋層面對,以比其幅度狹之幅度延伸,用來形成電流狹窄用之開口,並且,用來限制在第 l半導體層中橫方向流動之電流; 第2高電阻部,被設在上述之第l半導體層表面,形成比上述之第l高電阻部更遠離上述之電流阻擋層,並且,被包夾在電極之間;和 電極層,經由上述之第l高電阻部所形成之電流狹窄用之開口,用來與第l半導體層接觸。 |
主权项 | - |
申请日期 | 2000-04-27 |
专利号 | TW447185B |
专利状态 | 失效 |
申请号 | TW089107974 |
公开(公告)号 | TW447185B |
IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/00 | H01S5/227 | H01S3/18 |
专利代理人 | 賴經臣 |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46105 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 島顯洋,西口晴美,本善史,等. 半導體雷射裝置及其製造方法. TW447185B[P]. 2001-07-21. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
TW447185B.PDF(2004KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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