Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導體光學裝置 | |
| 其他题名 | 半導體光學裝置 |
| 羽田英樹; 境野剛; 久義浩 | |
| 2004-10-11 | |
| 专利权人 | 三菱電機股份有限公司 |
| 公开日期 | 2004-10-11 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | [課題] 製造、實裝工程中，提供一半導體光學裝置，具有防止導波路區域損傷的構造。[解決手段] 隆起導波型的半導體光學裝置包括一組臺面溝(mesa trench)間的導波路區域、臺面溝的外部的第1安裝區域及第2安裝區域、設置於第1安裝區域的第1間隔物層及設置於第2安裝區域的第2間隔物層、與導波路區域的上部遮蓋層電氣連接並從導波路區域的上部延伸至第1安裝區域的上部之第1金屬層、以及設置於第2安裝區域上部的之第2金屬層；半導體基板的底面到第1安裝區域的第1金屬層上端之高度及半導體基板的底面到第2安裝區域的第2金屬層上端之高度都高於半導體基板的底面到導波路區域的第1金屬層的上端的高度。 |
| 其他摘要 | [課題] 製造、實裝工程中，提供一半導體光學裝置，具有防止導波路區域損傷的構造。[解決手段] 隆起導波型的半導體光學裝置包括一組臺面溝(mesa trench)間的導波路區域、臺面溝的外部的第1安裝區域及第2安裝區域、設置於第1安裝區域的第1間隔物層及設置於第2安裝區域的第2間隔物層、與導波路區域的上部遮蓋層電氣連接並從導波路區域的上部延伸至第1安裝區域的上部之第1金屬層、以及設置於第2安裝區域上部的之第2金屬層；半導體基板的底面到第1安裝區域的第1金屬層上端之高度及半導體基板的底面到第2安裝區域的第2金屬層上端之高度都高於半導體基板的底面到導波路區域的第1金屬層的上端的高度。 |
| 主权项 | - |
| 申请日期 | 2003-04-25 |
| 专利号 | TWI222252B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | TW092109672 |
| 公开（公告）号 | TWI222252B |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/042 | H01S5/062 | H01S5/227 |
| 专利代理人 | 洪澄文 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46086 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 羽田英樹,境野剛,久義浩. 半導體光學裝置. TWI222252B[P]. 2004-10-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TWI222252B.PDF（2180KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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