半導体基板の傾斜端面形成法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半導体基板の傾斜端面形成法
其他题名	半導体基板の傾斜端面形成法
	高堂宣和; 杉本満則
	1996-03-04
专利权人	NEC CORP
公开日期	1996-03-04
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To obtain an inclined edge face having a desired inclination extending over the whole surface by providing an opening section with a slant edge-face sidewall to an organic resist layer through the oblique irradiation of oxygen ion beams, using a pattern of a metal, a semi-metal or their oxides as a mask and conducting dry etching through the irradiation of ion beams from the same direction of the inclination of the sidewall, employing the organic resist layer as a mask. CONSTITUTION:The surface of an AlGaAs laser substrate 11 is spin-coated with a positive type resist, and baked, thus shaping a resist mask 12. A titanium layer 13 is evaporated onto the whole surface of the resist mask 12. An upper-layer resist mask 14 is formed onto the layer 13, and a desired pattern is shaped to the mask 14. The desired pattern is also transferred to the Ti layer 13. O2 ion beams 16 are inclined at 45 deg. to the substrate 11 and applied to the substrate, using the pattern of the Ti layer 13 as a mask, an opening section with a lower-layer resist edge face 18 is formed, and the pattern is transferred. The substrate 11 is arranged at an angle of 45 deg. to a reactive plasma shower 17, employing such a resist pattern as a mask. An inclined edge face 19 is formed through etching.
其他摘要	用途：通过使用金属图案通过氧离子束的倾斜照射向有机抗蚀剂层提供具有倾斜边缘面侧壁的开口部分，以获得具有在整个表面上延伸的所需倾斜度的倾斜边缘面，使用有机抗蚀剂层作为掩模，使用半金属或它们的氧化物作为掩模，并通过从侧壁倾斜的相同方向照射离子束进行干蚀刻。组成：AlGaAs激光基板11的表面旋涂有正型抗蚀剂，并烘烤，从而整形抗蚀剂掩模12.钛层13蒸发到抗蚀剂掩模12的整个表面上。上层在层13上形成抗蚀剂掩模14，并将所需图案成形为掩模14.所需图案也转移到Ti层13.O2离子束16倾斜45度。使用Ti层13的图案作为掩模，向基板11施加并施加到基板上，形成具有下层抗蚀剂边缘面18的开口部分，并转印图案。基板11以45度的角度布置。采用这种抗蚀剂图案作为掩模，反应等离子体喷淋17。通过蚀刻形成倾斜边缘面19。
主权项	-
申请日期	1988-03-11
专利号	JP1996021576B2
专利状态	失效
申请号	JP1988056007
公开（公告）号	JP1996021576B2
IPC 分类号	G02B6/13 \| H01L21/30 \| H01L21/3065 \| H01S5/00 \| G03F1/00 \| G03F7/20 \| G03F \| C22C \| H01S \| C22C27/06 \| H01L21/027 \| H01L \| H01L21/28 \| G02B6/122 \| G02B \| H01L21/302 \| G03F7/09 \| H01S3/18
专利代理人	舘野千恵子
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46007
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NEC CORP
推荐引用方式 GB/T 7714	高堂宣和,杉本満則. 半導体基板の傾斜端面形成法. JP1996021576B2[P]. 1996-03-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1996021576B2.PDF（21KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文