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Method to control the thickness of an antireflection coating and implementation installation
其他题名Method to control the thickness of an antireflection coating and implementation installation
LANDREAU, JEAN; NAKAJIMA, HISAO
1991-06-18
专利权人ETAT FRANCAIS REPRESENTE PAR LE MINISTRE DES POSTES, DES TELECOMMUNICATIONS ET DE L'ESPACE (CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS
公开日期1991-06-18
授权国家美国
专利类型授权发明
摘要Method to control the thickness of an antireflection coating. According to the invention, the semi-conductive structure (14) is fed with a constant current (16) and the voltage (24) is measured at its terminals. This voltage passes through a maximum when the reflectivity of the antireflection coating passes through a minimum. Application for the embodiment of semi-conductive lasers.
其他摘要控制抗反射涂层厚度的方法。根据本发明,半导体结构(14)被馈送恒定电流(16)并且在其端子处测量电压(24)。当抗反射涂层的反射率通过最小值时,该电压通过最大值。应用于半导体激光器的实施例。
主权项Method to control the thickness of an antireflection coating when deposited on one of the faces of a semiconductive laser, wherein the laser is fed with a constant current during depositing, this method being characterized in that the voltage is measured at the laser terminals, the passage of this voltage through a maximum being detected, which indicates that the antireflection coating has a thickness providing it with minimum reflectivity.
申请日期1990-06-28
专利号US5024853
专利状态失效
申请号US07/544876
公开(公告)号US5024853
IPC 分类号G01B11/06 | H01S5/028 | H01S5/00 | C23C14/54
专利代理人-
代理机构FINNEGAN,HENDERSON,FARABOW,GARRETT & DUNNER
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45618
专题半导体激光器专利数据库
作者单位ETAT FRANCAIS REPRESENTE PAR LE MINISTRE DES POSTES, DES TELECOMMUNICATIONS ET DE L'ESPACE (CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS
推荐引用方式
GB/T 7714
LANDREAU, JEAN,NAKAJIMA, HISAO. Method to control the thickness of an antireflection coating and implementation installation. US5024853[P]. 1991-06-18.
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