Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体激光器 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光器 |
| 冨谷茂隆; 日野智公 | |
| 2005-05-25 | |
| 专利权人 | 索尼公司 |
| 公开日期 | 2005-05-25 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。 |
| 其他摘要 | 一种氮化物半导体激光器，具有平坦劈开端面，并且可以抑制操作期间所产生的激光器端面的破坏，从而延长使用寿命，并且包括在活性层与覆盖层之间提供的压力集中抑制层。 |
| 主权项 | 一种氮化物半导体激光器，其特征在于，在活性层和覆盖层之间具有压力集中抑制层， 其中压力集中抑制层在活性层侧的组成与活性层相同，并且在覆盖层侧的组成与覆盖层相同，并且 压力集中抑制层的组成从活性层侧缓变到覆盖层侧。 |
| 申请日期 | 2002-06-04 |
| 专利号 | CN1203598C |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN02802449.4 |
| 公开（公告）号 | CN1203598C |
| IPC 分类号 | H01S5/042 | H01S5/10 | H01S5/20 | H01S5/32 | H01S5/323 | H01S5/34 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 邸万奎 | 黄小临 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45521 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨谷茂隆,日野智公. 氮化物半导体激光器. CN1203598C[P]. 2005-05-25. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1203598C.PDF（1184KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [冨谷茂隆]的文章 |
| [日野智公]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [冨谷茂隆]的文章 |
| [日野智公]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [冨谷茂隆]的文章 |
| [日野智公]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论