光电装置及其制造方法

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	光电装置及其制造方法
其他题名	光电装置及其制造方法
	安东尼·J·罗特费尔德
	2013-04-17
专利权人	台湾积体电路制造股份有限公司
公开日期	2013-04-17
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明提供一种光电装置及其制造方法，该光电装置包括一基板以及具有露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口的一介电材料，所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比。包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料的一底部二极管材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底部二极管区域。上述装置更包括一顶部二极管材料以及位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间的一有源二极管区。本发明借由于高品质、大区域、低成本的硅晶片上制作太阳能电池、发光二极管、共振穿隧二极管、半导体激光与其他化合物半导体装置，借以降低成本。
其他摘要	本发明提供一种光电装置及其制造方法，该光电装置包括一基板以及具有露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口的一介电材料，所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比。包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料的一底部二极管材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底部二极管区域。上述装置更包括一顶部二极管材料以及位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间的一有源二极管区。本发明借由于高品质、大区域、低成本的硅晶片上制作太阳能电池、发光二极管、共振穿隧二极管、半导体激光与其他化合物半导体装置，借以降低成本。
主权项	一种光电装置，包括：一基板；一介电材料，包括露出该基板的一部分的两个或两个以上的开口，所述两个或两个以上的开口分别具有至少为1的一深宽比；一底部二极管材料，包括晶格不相称于该基板的一化合物半导体材料，且其中该化合物半导体材料占据了所述两个或两个以上的开口并于所述两个或两个以上的开口之上接合以形成一底二极管区；一顶部二极管材料；以及一有源二极管区，位于该顶部二极管材料与该底部二极管材料之间。
申请日期	2010-07-09
专利号	CN102122675B
专利状态	授权
申请号	CN201010229509.5
公开（公告）号	CN102122675B
IPC 分类号	H01L31/04 \| H01L31/08 \| H01L33/00 \| H01L31/18
专利代理人	姜燕 \| 陈晨
代理机构	隆天国际知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45387
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	台湾积体电路制造股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	安东尼·J·罗特费尔德. 光电装置及其制造方法. CN102122675B[P]. 2013-04-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102122675B.PDF（1780KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文