清除三光束返回光的影响的半导体激光装置及其制造方法

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	清除三光束返回光的影响的半导体激光装置及其制造方法
其他题名	清除三光束返回光的影响的半导体激光装置及其制造方法
	玄永康一; 福冈和雄; 饭田清次; 冈田真琴
	2009-08-19
专利权人	株式会社东芝
公开日期	2009-08-19
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种半导体激光装置，包括：具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片；以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座。上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3～30度的角度倾斜，上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。
其他摘要	一种半导体激光装置，包括：具有射出激光束的出射面的半导体激光芯片；以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的、在上述第一面上设有上述半导体激光芯片的次底座。上述至少一个第二面之中的与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的第二面相对于上述出射面以3～30度的角度倾斜，上述倾斜的第二面反射上述半导体激光芯片射出的激光束经衍射后的分光束的反射光。
主权项	一种半导体激光装置，其特征在于包括：具有形状为大致长方形或正方形的第一面和用于射出激光束的出射面的半导体激光芯片；以及具有第一面和与该第一面垂直的至少一个第二面的次底座，在该次底座的第一面上设有上述半导体激光芯片，其中，上述至少一个第二面中的一个与上述半导体激光芯片的上述出射面并列；上述次底座的第一面为平行四边形，与上述半导体激光芯片的上述出射面并列的上述一个第二面相对于上述出射面以θ角度倾斜，该θ为3～30度，其中，上述倾斜的上述一个第二面将垂直于上述半导体激光芯片的上述出射面的入射光反射至与上述入射光的方向成2θ的角度的方向。
申请日期	2001-09-19
专利号	CN100530377C
专利状态	失效
申请号	CN01140646.1
公开（公告）号	CN100530377C
IPC 分类号	G11B7/125 \| H01S5/022 \| H01L23/12 \| G11B7/127 \| G11B7/1275 \| H01S5/02 \| H01S5/06 \| H01S5/40
专利代理人	王以平
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45375
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	株式会社东芝
推荐引用方式 GB/T 7714	玄永康一,福冈和雄,饭田清次,等. 清除三光束返回光的影响的半导体激光装置及其制造方法. CN100530377C[P]. 2009-08-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100530377C.PDF（1079KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文