基于特殊等效相移的DFB半导体激光器

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	基于特殊等效相移的DFB半导体激光器
其他题名	基于特殊等效相移的DFB半导体激光器
	周亚亭; 施跃春; 李思敏; 贾凌慧; 刘盛春; 陈向飞
	2013-03-13
专利权人	南京大学
公开日期	2013-03-13
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。
其他摘要	基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。
主权项	基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，其特征是所述的DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，左段取样布拉格光栅的占空比为γ，右段取样布拉格光栅的占空比则为1-γ，也即两部分的占空比之和是1；同时占空比为γ的那段取样光栅，有无光栅结构的间隔顺序与占空比为1-γ的那段取样光栅中正好相反，γ值的大小在0.3到0.5之间；两段取样光栅结构的间距为0；取样光栅采用特殊等效λ/4相移的取样函数表示为与普通的等效λ/4相移结构相比，右段取样布拉格光栅的取样函数，表示为式（10）和（11）中，取样布拉格光栅中的折射率调制强度用Δn表示，Λ0是种子光栅的光栅周期，Fm为取样光栅的第m级傅里叶系数,P是取样周期,c.c为复共轭，x表示沿激光器谐振腔的位置坐标，x0表示相移所在位置坐标；其中0级子光栅中折射率调制是一个常数项；从式(11)可知，在所述取样布拉格光栅结构中，有一个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。
申请日期	2010-09-14
专利号	CN101924326B
专利状态	授权
申请号	CN201010280999.1
公开（公告）号	CN101924326B
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/065
专利代理人	陈建和
代理机构	南京天翼专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45320
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	南京大学
推荐引用方式 GB/T 7714	周亚亭,施跃春,李思敏,等. 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器. CN101924326B[P]. 2013-03-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101924326B.PDF（1047KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文