饱和型磷光体固态发射器

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	饱和型磷光体固态发射器
其他题名	饱和型磷光体固态发射器
	B・科勒; 付艳坤; J・斯如托; J・艾贝森; J・巴拉塞
	2008-07-23
专利权人	克利公司
公开日期	2008-07-23
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	揭示了一种高效高产率的发射器组件，它在各批之间呈现出有限的波长变化，并在工作中有一致的波长和发射特性。根据本发明发射器组件的一实施例，包括半导体发射器和变换材料。设置变换材料以基本上吸收全部从半导体发射器发射的光，并以一种或多种不同的光的波长谱重新发射光。还设置该变换材料，使得当所述重新发射的光从所述发射器组件发射时，没有过剩的变换材料阻挡所述重新发射的光，所述发射器组件以所述一种或多种波长谱从所述变换材料发光。半导体发射器较佳为发光二极管(LED)或激光二极管。
其他摘要	揭示了一种高效高产率的发射器组件，它在各批之间呈现出有限的波长变化，并在工作中有一致的波长和发射特性。根据本发明发射器组件的一实施例，包括半导体发射器和变换材料。设置变换材料以基本上吸收全部从半导体发射器发射的光，并以一种或多种不同的光的波长谱重新发射光。还设置该变换材料，使得当所述重新发射的光从所述发射器组件发射时，没有过剩的变换材料阻挡所述重新发射的光，所述发射器组件以所述一种或多种波长谱从所述变换材料发光。半导体发射器较佳为发光二极管(LED)或激光二极管。
主权项	一种饱和型变换材料发射器组件，包括：一个或多个半导体发射器，每个发射器响应偏压发射光；金属杯，所述半导体发射器设置在所述杯的底座上，多个导电通路，耦连到所述半导体发射器，用于把偏压加到所述发射器；以及变换材料，设置成基本吸收全部来自所述发射器的光并以一种或多种不同波长的光谱重新发射光，所述变换材料处于对应于所述发射器的尺寸和光通量的饱和状态并包含允许基本所有的来自发射器组件的重新发射的光通过的量，所述发射器组件以所述一种或多种波长谱从所述变换材料发射光。
申请日期	2003-06-12
专利号	CN100405620C
专利状态	授权
申请号	CN03818716
公开（公告）号	CN100405620C
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01S5/02 \| C09K11/08 \| C09K11/59 \| C09K11/62 \| C09K11/67 \| C09K11/78 \| C09K11/80 \| H01L33/50 \| H01S5/022
专利代理人	李玲
代理机构	上海专利商标事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45156
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	克利公司
推荐引用方式 GB/T 7714	B・科勒,付艳坤,J・斯如托,等. 饱和型磷光体固态发射器. CN100405620C[P]. 2008-07-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN100405620C.PDF（722KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文