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半导体激光器可靠性检测分析方法及其装置
其他题名半导体激光器可靠性检测分析方法及其装置
石家纬; 金恩顺; 李正庭; 李红岩; 郭树旭; 高鼎三
2000-03-15
专利权人吉林大学
公开日期2000-03-15
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明涉及一种半导体激光器参数测试和可靠性分析的方法及装置。该装置主要由微机(1)、样品箱(3)、数据采集板(4)、电流电压转换电路(7)、光电探测器(30)、电压电流转换电路(10)及信号源(11)和锁相放大器(8)等构成。通过对器件(29)电导数曲线、热阻、功率及变温曲线等的测试,用测得的参数对器件进行可靠性分析。本发明具有微机化、自动化、加温均匀、一次逐个检测多个器件等特点,实现对器件可靠性无损、快速、简便的检测和分析。
其他摘要本发明涉及一种半导体激光器参数测试和可靠性分析的方法及装置。该装置主要由微机(1)、样品箱(3)、数据采集板(4)、电流电压转换电路(7)、光电探测器(30)、电压电流转换电路(10)及信号源(11)和锁相放大器(8)等构成。通过对器件(29)电导数曲线、热阻、功率及变温曲线等的测试,用测得的参数对器件进行可靠性分析。本发明具有微机化、自动化、加温均匀、一次逐个检测多个器件等特点,实现对器件可靠性无损、快速、简便的检测和分析。
主权项一种半导体激光器可靠性检测分析方法,用于对同一种结构的半导体激光器进行参数测试和可靠性分析,该方法包括如下步骤: ①测出被检测的半导体激光器的电导数曲线,即IdV/dI~I曲线,其中I为半导体激光器的驱动电流,dV/dI为结电压对驱动电流的微分; ②从电导数曲线中得到阈值电流Ith,对阈值电流Ith前后两部分曲线进行直线拟合,得到两个斜率和截距,阈值前部分的截距为mKT/q,斜率为Rs1,阈值后部分的截距为b,斜率为Rs2,其中,m为结特征参量,k为波尔兹曼常数,T为测试温度,q为电子电荷,b为b参数,Rs1、Rs2,为阈值前后的串联电阻;由阈值电流Ith附近曲线的极大值与极小值的差值,测得阈值电流处的结电压饱合程度,即下沉高度h; ③改变测试温度T,由变温前后的电导数曲线,测得Δb/ΔT及/ΔIth/ΔT; ④将所得的各参数跟这种结构的半导体激光器的这些参数的正常取值相比较,对被检测的半导体激光器的质量和可靠性做出评价;评价规律是h值不小于正常参数值,b、m、Δb/ΔT、Rs不大于正常参数值为可靠性好的器件; ⑤所说的正常参数值是对被检测的一批器件抽样,用常规的可靠性检测和老化方法选出合格样品经测试得到。
申请日期1995-08-11
专利号CN1050454C
专利状态失效
申请号CN95107993
公开(公告)号CN1050454C
IPC 分类号G01N27/02 | G01R27/00 | H01S5/30
专利代理人王恩远
代理机构吉林大学专利事务所
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45040
专题半导体激光器专利数据库
作者单位吉林大学
推荐引用方式
GB/T 7714
石家纬,金恩顺,李正庭,等. 半导体激光器可靠性检测分析方法及其装置. CN1050454C[P]. 2000-03-15.
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