采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构

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	采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构
其他题名	采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构
	王俊; 白一鸣; 崇锋; 熊聪; 仲莉; 韩淋; 王翠鸾; 冯小明; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇
	2011-09-28
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2011-09-28
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，包括：一衬底，用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下渐变光陷阱层，制作在N型下限制层上；一上渐变光陷阱层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型上限制层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型渐变波导层，制作在N型下限制层上；一量子阱有源区，制作在N型渐变波导层上；一P型渐变波导层，制作在量子阱有源区上；一P型限制层，制作在P型渐变波导层上；一电极接触层，制作在P型限制层上。
其他摘要	一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，包括：一衬底，用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，制作在缓冲层上；一下渐变光陷阱层，制作在N型下限制层上；一上渐变光陷阱层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型上限制层，制作在下渐变光陷阱层上；一N型渐变波导层，制作在N型下限制层上；一量子阱有源区，制作在N型渐变波导层上；一P型渐变波导层，制作在量子阱有源区上；一P型限制层，制作在P型渐变波导层上；一电极接触层，制作在P型限制层上。
主权项	一种采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构，其特征在于，包括：一衬底，该GaAs衬底用于在其上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层制作在GaAs衬底上；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上，该N型下限制层为N-Al0.44Ga0.56As材料，N型掺杂浓度为1×1018cm-3-2×1018cm-3，厚度为1000-1200nm；一下渐变光陷阱层，该下渐变光陷阱层制作在N型下限制层上，该下渐变光陷阱层为Al0.44Ga0.56As→Al0.32Ga0.68As材料，N型掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3，厚度为540nm；一上渐变光陷阱层，该上渐变光陷阱层制作在下渐变光陷阱层上，该上渐变光陷阱层为Al0.32Ga0.68As→Al0.44Ga0.56As材料，N型掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3，厚度为540nm；一N型上限制层，该N型上限制层制作在下渐变光陷阱层上，该N型上限制层为N-Al0.44Ga0.56As材料，N型掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3，厚度为700nm；一N型渐变波导层，该N型渐变波导层制作在N型下限制层上，该N型渐变波导层为Al0.44Ga0.56As→Al0.23Ga0.77As材料，为非故意掺杂，厚度为80nm；一量子阱有源区，该量子阱有源区制作在N型渐变波导层上，该量子阱有源区为8nm AlGaInAs/8nm Al0.23Ga0.77As材料，为非故意掺杂；一P型渐变波导层，该P型渐变波导层制作在量子阱有源区上，该P型渐变波导层为Al0.23Ga0.77As→Al0.44Ga0.56As材料，为非故意掺杂；一P型限制层，该P型限制层制作在P型渐变波导层上，该P型限制层为P-Al0.44Ga0.56As材料，厚度为1300-1500nm，P型掺杂浓度为1×1017-1×1018cm-3；一电极接触层，该电极接触层制作在P型限制层上。
申请日期	2009-05-13
专利号	CN101888056B
专利状态	失效
申请号	CN200910084036.1
公开（公告）号	CN101888056B
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/343 \| H01S5/028
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/45004
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,白一鸣,崇锋,等. 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构. CN101888056B[P]. 2011-09-28.

条目包含的文件
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CN101888056B.PDF（408KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文