热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器

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	热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器
其他题名	热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器
	程澎; 林世鸣
	2001-01-17
专利权人	集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区
公开日期	2001-01-17
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	一种热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器,其衬底下为下电极,衬底上设有N型DBR,N型DBR上为有源区,有源区上为P型DBR,上电极设置在P型DBR顶部,其中所述的有源区中间设有一绝缘层,将有源区分为低电阻率截止的横向导流通道和下有源区,绝缘层远离P型DBR一侧对应开设导电孔区,对应导电孔区轴向垂直位置的有源区上方设有上侧P型DBR。本实用新型既克服了顶部注入电极式严重器件发热的问题,又避免了侧向注入电极制作工艺复杂问题,保证产品性能,并且还能够控制调节导电率。
其他摘要	一种热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器,其衬底下为下电极,衬底上设有N型DBR,N型DBR上为有源区,有源区上为P型DBR,上电极设置在P型DBR顶部,其中所述的有源区中间设有一绝缘层,将有源区分为低电阻率截止的横向导流通道和下有源区,绝缘层远离P型DBR一侧对应开设导电孔区,对应导电孔区轴向垂直位置的有源区上方设有上侧P型DBR。本实用新型既克服了顶部注入电极式严重器件发热的问题,又避免了侧向注入电极制作工艺复杂问题,保证产品性能,并且还能够控制调节导电率。
主权项	一种热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器，其衬底下为下电极，衬底上设有N型DBR，N型DBR上为有源区，有源区上为P型DBR，上电极设置在P型DBR顶部，其特征在于：所述的有源区中间设有一绝缘层，将有源区分为低电阻横向导流通道和下有源区，绝缘层远离P型DBR一侧对应开设导电孔区，对应导电孔区轴向垂直位置的有源区上方设有上侧P型DBR。
申请日期	2000-04-05
专利号	CN2415520Y
专利状态	失效
申请号	CN00231062.7
公开（公告）号	CN2415520Y
IPC 分类号	H01S5/125 \| H01S5/183 \| H01S51/83
专利代理人	刘芳
代理机构	北京三友专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44946
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	集成光电子学国家重点联合实验室半导体所实验区
推荐引用方式 GB/T 7714	程澎,林世鸣. 热源隔离可控导电率的垂直腔面发射激光器. CN2415520Y[P]. 2001-01-17.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN2415520Y.PDF（226KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文