二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器

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	二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器
其他题名	二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器
	法西利·艾凡诺维奇·夏维金; 维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼; 阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克; 尹戈尔·皮特罗维奇·亚雷玛
	2013-08-28
专利权人	通用纳米光学有限公司
公开日期	2013-08-28
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成。落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层，实现活性层的辐射耦合。本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。
其他摘要	本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成。落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层，实现活性层的辐射耦合。本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。
主权项	一种二极管激光器，包括基于半导体化合物的异质结构，所述异质结构包含至少一个活性层、至少两个限制层、用于漏入发射的漏入区域，所述漏入区域对于发射是透过性的，所述漏入区域包含至少一个漏入层，并且设置在至少所述活性层的一侧、所述活性层和对应的限制层之间，所述二极管激光器还包括具有在所述二极管激光器工作期间流动的电流的活性区域、光学面、反射器、光谐振器、欧姆接触，其中，所述异质结构的特征在于，所述异质结构的有效折射率neff与所述漏入层的折射率nIN的比率，即，neff与nIN的比率根据从1+δ到1-γ的范围来确定，其中，δ为0.000001，γ为0.000146，此外，在与具有流动电流的活性区域的两个横向侧面相距特定距离处设置了限制发射的限制区域，所述限制区域从外部层穿透到所述异质结构且至少穿透到所述活性层并进一步深入所述异质结构，在发射输出侧，光学面上存在激光发射反射系数接近零的抗反射涂层，在发射输出的相同侧，形成了激光发射反射系数接近1的光谐振反射器，所述反射器与所述活性层以及位于所述活性层两侧的所述异质结构的半导体层相邻，所述半导体层的总厚度至少在（λ/4neff）μm到（4λ/neff）μm的范围内，其中λ是自由空间激光波长。
申请日期	2009-06-03
专利号	CN102057545B
专利状态	失效
申请号	CN200980120976.X
公开（公告）号	CN102057545B
IPC 分类号	H01S5/32
专利代理人	余刚 \| 吴孟秋
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44907
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	通用纳米光学有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	法西利·艾凡诺维奇·夏维金,维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼,阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克,等. 二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器. CN102057545B[P]. 2013-08-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102057545B.PDF（973KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文