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半導体装置用キャップ
其他题名半導体装置用キャップ
西澤 裕訓; 畠山 靖; 依田 稔久; 川村 賢二
2005-03-11
专利权人新光電気工業株式会社
公开日期2005-06-02
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【課題】 半導体装置用キャップの製造工程での無鉛化を図り、光透過窓が気密にキャップ本体に封着され、信頼性の高い半導体装置用キャップを提供する。 【解決手段】 金属からなるキャップ本体12に低融点ガラス16を封着材として光透過窓14が封着された半導体装置用キャップにおいて、前記光透過窓14が、前記封着材として用いられた鉛を含まないビスマス系の低融点ガラス16に含有されたBiと、前記キャップ本体12の表面に被着された金属との共晶反応により形成された共晶合金層を介して、前記キャップ本体12に封着されていることを特徴とする。 【選択図】図1
其他摘要要解决的问题:为制造半导体器件的盖子的过程中通过排除引线来为半导体提供高度可靠的半导体,其中透光窗口与盖子主体气密密封。 ŽSOLUTION:在这种半导体器件的盖子中,通过使用低熔点玻璃16作为密封材料,用金属构成的盖子主体12密封透光窗口14,用盖子主体12密封透光窗口14。通过由不含引线的铋基低熔点玻璃16中所含的Bi与用作密封材料的金属之间的共晶反应形成共晶合金层,以及盖有盖主体12表面的金属。 Ž
主权项-
申请日期2003-11-10
专利号JP3655916B2
专利状态授权
申请号JP2003379849
公开(公告)号JP3655916B2
IPC 分类号H01L | H01L23/02 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S5/022 | H01L31/0203
专利代理人綿貫 隆夫 | 堀米 和春
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44677
专题半导体激光器专利数据库
作者单位新光電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
西澤 裕訓,畠山 靖,依田 稔久,等. 半導体装置用キャップ. JP3655916B2[P]. 2005-03-11.
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