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	光電子集積回路の製造方法
其他题名	光電子集積回路の製造方法
	寺門 知二
	1994-02-16
专利权人	NIPPON ELECTRIC CO
公开日期	1994-02-16
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	PURPOSE:To improve the performance and reproducibility by a method wherein, after coating step difference regions with thick film resist, electrode patterns of a transistor are formed using a thin film resist. CONSTITUTION:A PIN photodiode 2 formed on the lower step part of a substrate 1 having a step difference and a field effect transistor 3 formed on the upper step part of the substrate 1 are monolithically integrated and after coating the step difference parts with a thick film resist 7, electrodes 12-14 of the transistor 3 are formed by the photolithography using a thin film resist 18. Through these procedures, fine electrodes can be manufactured in high reproducibily so that high performance optoelectronic integrated circuits may be manufactured in high reproducibility.
其他摘要	用途：为了通过一种方法改善性能和再现性，其中在用厚膜抗蚀剂涂覆台阶差区域之后，使用薄膜抗蚀剂形成晶体管的电极图案。组成：形成在具有台阶差的基板1的下台阶部分上的PIN光电二极管2和形成在基板1的上台阶部分上的场效应晶体管3是单片集成的，并且在用厚膜涂覆台阶差部件之后通过使用薄膜抗蚀剂18的光刻法形成晶体管3的电极12-14，通过这些步骤，可以高再现性地制造精细电极，从而可以以高再现性制造高性能光电集成电路。
主权项	-
申请日期	1987-10-28
专利号	JP1994012809B2
专利状态	失效
申请号	JP1987274049
公开（公告）号	JP1994012809B2
IPC 分类号	H01S | H01L29/66 | H01L | H01L29/80 | H01L27/095 | H01L27/12 | H01L27/14 | H01L31/12 | H01S5/00 | H01S5/026
专利代理人	本庄 伸介
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44645
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON ELECTRIC CO
推荐引用方式 GB/T 7714	寺門 知二. 光電子集積回路の製造方法. JP1994012809B2[P]. 1994-02-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1994012809B2.PDF（16KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文

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