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半導体ブラッグ反射器および前記反射器の製作方法
其他题名半導体ブラッグ反射器および前記反射器の製作方法
レオン·ゴールドスタン; アンス·ビセシユール; アラン·ボデール; フランソワ·ブリユエ; ジヤン·ルイ·ジヤントナー; カトリーヌ·グラベール
2003-04-11
专利权人アルカテル
公开日期2003-06-23
授权国家日本
专利类型授权发明
摘要【課題】 屈折率差が大きく、反射率が高い半導体ブラッグ反射器およびその製作方法を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体ブラッグ反射器は、III-V族材料の基板上の複数の積み重ねられた層を含み、積み重ねられた層のうちの一層がホログラフィ格子を形成する。格子を形成する層は、空隙部とIII-V族材料との交互の連続部を含む。このような反射器はレーザ装置で使用するのに特に適している。
其他摘要要解决的问题:提供具有大折射率差和高反射率的半导体布拉格反射器及其制造方法。 本发明的半导体布拉格反射器包括在III-V族材料的基板上的多个堆叠层,其中一个堆叠层形成全息光栅。形成晶格的层包括空隙和III-V材料的交替连续。这种反射器特别适用于激光装置。
主权项-
申请日期1998-06-26
专利号JP3418553B2
专利状态失效
申请号JP1998180312
公开(公告)号JP3418553B2
IPC 分类号G02B6/12 | H01L | H01S5/12 | H01S5/00 | G02B6/124 | G02B6/122 | G02B5/32 | H01L33/00 | G02B5/08 | G02B6/13 | G02B | H01S | G02B5/18 | H01S5/125 | H01S5/20 | G02B6/136
专利代理人川口 義雄 (外1名)
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44498
专题半导体激光器专利数据库
作者单位アルカテル
推荐引用方式
GB/T 7714
レオン·ゴールドスタン,アンス·ビセシユール,アラン·ボデール,等. 半導体ブラッグ反射器および前記反射器の製作方法. JP3418553B2[P]. 2003-04-11.
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