多重量子井戸型半導体発光素子

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	多重量子井戸型半導体発光素子
其他题名	多重量子井戸型半導体発光素子
	玉村好司; 野口裕泰
	2008-01-25
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2008-04-02
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】均一な発光をする発光特性に優れた半導体発光装置を提供する。【解決手段】 n型GaAs基板1上にn型GaAsバッファ層2とn型AlGaInPクラッド層3とGaInP/AlGaInPMQW構造の活性層4とp型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6とp型GaAsキャップ層7とを順次成長させ、p型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6およびp型GaAsキャップ層7をメサ構造にし、n型GaAs電流ブロック層8をメサ構造の両側に成長させて積層する。活性層4はn型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層3とp型(Al0.7 Ga0.3 )0.5 In0.5 Pクラッド層5と50Å厚の(Al0.35Ga0.65)0.5 In0.5 Pバリア層と40Å厚の中央に位置するGa0.52In0.48P量子井戸層と、46Å厚のクラッド層寄りのGa0.52In0.48P量子井戸層からなっている。
其他摘要	种类代码：A1提供一种具有均匀发光和优异发光特性的半导体发光器件。 GaAs衬底1 2和n型AlGaInP包覆层3和由GaInP / AlGaInPMQW结构的有源层4和p型AlGaInP包覆层5和p型GaInP层6和p型GaAs上的n型的n型GaAs缓冲层顺序地生长帽层7，p型AlGaInP包覆层5和p型GaInP层6，并在台面结构的p型GaAs帽层7，层叠n型GaAs电流阻挡层8生长在台面结构的两侧到。有源层4为n型的（Al 0.7 GA 0.3 ） 0.5 在 0.5 p覆盖层3和p型（铝 0.7 GA 0.3 ） 0.5 在 0.5 p覆盖层5和50A厚（铝 0.35 GA 0.65 ） 0.5 在 0.5 GA 0.52位于在P势垒层的中心和40A厚和 0.48 点的量子阱层由在 0.48 点的量子阱层的包层更靠近 0.52 的46层Ga的厚度的。
主权项	-
申请日期	1997-08-06
专利号	JP4069479B2
专利状态	失效
申请号	JP1997212230
公开（公告）号	JP4069479B2
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01L \| H01S \| H01L33/12 \| H01S3/07 \| H01L33/06 \| H01S3/06 \| H01L33/00 \| H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01S5/00
专利代理人	角田芳末 \| 磯山弘信
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44394
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	玉村好司,野口裕泰. 多重量子井戸型半導体発光素子. JP4069479B2[P]. 2008-01-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4069479B2.PDF（60KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文