一种n型外延衬底激光二极管的制造方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	一种n型外延衬底激光二极管的制造方法
其他题名	一种n型外延衬底激光二极管的制造方法
	丛国芳
	2015-11-25
专利权人	溧阳市科技开发中心
公开日期	2015-11-25
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长n-GaN外延衬底；（2）在n-GaN外延衬底上形成发光结构；（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将n-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留n-GaN外延衬底中部区域上的发光结构；（4）在n-GaN外延衬底的外围溅射形成n电极。
其他摘要	本发明公开了一种n型外延衬底激光二极管的制造方法，依次包括如下步骤：（1）在蓝宝石衬底上外延生长n-GaN外延衬底；（2）在n-GaN外延衬底上形成发光结构；（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将n-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留n-GaN外延衬底中部区域上的发光结构；（4）在n-GaN外延衬底的外围溅射形成n电极。
主权项	一种n型外延衬底激光二极管的制造方法，其特征在于所述方法依次包括如下步骤： (1)在蓝宝石衬底上外延生长n-GaN外延衬底； (2)在n-GaN外延衬底上形成发光结构； (3)对所述发光结构进行刻蚀，从而将n-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留n-GaN外延衬底中部区域上的发光结构； (4)在n-GaN外延衬底的外围溅射形成n电极；步骤(2)中形成所述发光结构的工艺过程为：在n-GaN外延衬底上自下而上依次形成n型界面层、发光层、p型界面层、p型注入层和p电极；其中，步骤(4)中形成的n电极围绕发光结构形成，形成的n电极的厚度不大于n型界面层的厚度，并且n电极与发光结构之间具有空隙；其中，n型界面层是n-AlxInyGa1-x-yN，发光层是超晶格结构的多量子阱层，形成该多量子阱层的材料为ZnO/Zn1-aMgaO/Zn1-bAsbO；p型界面层为p-AlxInyGa1-x-yP；p型注入层为p型NiO注入层；p电极为Au、Pt、Pt/Ni、Au/Ni或ITO(氧化铟锡)，n电极为In、Al、Ga、Ag或ITO；其中，0＜x≤1，0＜y≤1并且x+y≤1；其中0＜a≤0.2、0＜b≤0.3。
申请日期	2013-10-22
专利号	CN103594921B
专利状态	授权
申请号	CN201310500296.9
公开（公告）号	CN103594921B
IPC 分类号	H01S5/042 \| H01S5/34 \| H01S5/347
专利代理人	黄明哲
代理机构	南京天翼专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44278
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	溧阳市科技开发中心
推荐引用方式 GB/T 7714	丛国芳. 一种n型外延衬底激光二极管的制造方法. CN103594921B[P]. 2015-11-25.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103594921B.PDF（374KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文