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半导体激光器TO管座封装光束压缩工艺
其他题名半导体激光器TO管座封装光束压缩工艺
汤庆敏; 苏建; 于果蕾; 夏伟; 徐现刚; 王海卫; 李佩旭; 刘长江
专利权人山东华光光电子有限公司
公开日期2010-01-06
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本发明提供了一种半导体激光器TO管座封装光束压缩工艺,包括以下步骤:(1)首先按常规在TO管座的管舌上蒸发焊料,然后将半导体激光器的管芯粘结在管舌侧面中间,使管芯发光腔面与管舌的上端面平齐,再进行合金、键合和光电测试;(2)然后将与TO管座型号对应的管帽封装在TO管座上,使管帽处于TO管座正中间;(3)利用光学调节架在管帽的外部粘接柱透镜,柱透镜与管芯的腔面平行且柱透镜相对于管芯的腔面居中。本发明是在管帽的外部粘结柱透镜并通过调节柱透镜位置实现光束压缩,改变了现有光束压缩工艺中在管帽内部粘结柱透镜、通过调节管帽位置实现光束压缩的方式,避免了对管帽进行研磨,使整形工艺效率提高了15%-20%。
其他摘要本发明提供了一种半导体激光器TO管座封装光束压缩工艺,包括以下步骤:(1)首先按常规在TO管座的管舌上蒸发焊料,然后将半导体激光器的管芯粘结在管舌侧面中间,使管芯发光腔面与管舌的上端面平齐,再进行合金、键合和光电测试;(2)然后将与TO管座型号对应的管帽封装在TO管座上,使管帽处于TO管座正中间;(3)利用光学调节架在管帽的外部粘接柱透镜,柱透镜与管芯的腔面平行且柱透镜相对于管芯的腔面居中。本发明是在管帽的外部粘结柱透镜并通过调节柱透镜位置实现光束压缩,改变了现有光束压缩工艺中在管帽内部粘结柱透镜、通过调节管帽位置实现光束压缩的方式,避免了对管帽进行研磨,使整形工艺效率提高了15%-20%。
申请日期2009-08-11
专利号CN101621176A
专利状态失效
申请号CN200910017588.0
公开(公告)号CN101621176A
IPC 分类号H01S5/00 | H01S5/022 | H01S5/06
专利代理人-
代理机构-
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44178
专题半导体激光器专利数据库
作者单位山东华光光电子有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
汤庆敏,苏建,于果蕾,等. 半导体激光器TO管座封装光束压缩工艺. CN101621176A.
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