Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
双面散热的高效大功率半导体激光器 | |
其他题名 | 双面散热的高效大功率半导体激光器 |
沈光地; 马莉; 陈依新 | |
专利权人 | 沈光地 |
公开日期 | 2012-12-26 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 双面散热的高效大功率半导体激光器及其制备方法,属于半导体光电子技术领域。其包括:从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底,上散热电极,上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,下散热电极。其在制备过程中引入外延结构。所述的外延结构带有腐蚀停层或带有牺牲层。带有腐蚀停层的外延结构,包括有依次纵向层叠的上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,腐蚀停层,缓冲层,衬底。带有牺牲层的外延结构,包括有依次纵向层叠的上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,牺牲层,缓冲层,衬底。本发明器件散热性能好,激光输出功率高,光电特性好,使用寿命长,节约成本。 |
其他摘要 | 双面散热的高效大功率半导体激光器及其制备方法,属于半导体光电子技术领域。其包括:从上往下依次纵向层叠的具有散热和高导电导热功能的转移衬底,上散热电极,上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,下散热电极。其在制备过程中引入外延结构。所述的外延结构带有腐蚀停层或带有牺牲层。带有腐蚀停层的外延结构,包括有依次纵向层叠的上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,腐蚀停层,缓冲层,衬底。带有牺牲层的外延结构,包括有依次纵向层叠的上重掺接触层,上限制层,有源区,下限制层,下重掺接触层,牺牲层,缓冲层,衬底。本发明器件散热性能好,激光输出功率高,光电特性好,使用寿命长,节约成本。 |
申请日期 | 2012-07-20 |
专利号 | CN102842850A |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN201210252513 |
公开(公告)号 | CN102842850A |
IPC 分类号 | H01S5/024 |
专利代理人 | 魏聿珠 |
代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44117 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 沈光地 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈光地,马莉,陈依新. 双面散热的高效大功率半导体激光器. CN102842850A. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN102842850A.PDF(443KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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