半导体激光器激励固体激光器

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	半导体激光器激励固体激光器
其他题名	半导体激光器激励固体激光器
	玉谷基亮; 横山彰
专利权人	三菱电机株式会社
公开日期	2014-06-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明的目的在于通过简单的构造获得高效的半导体激光器激励固体激光器。因此具备：配置在固体激光器基板（2）上的平面波导型固体激光器元件（101），在板状的固体激光器介质（3）的两面形成折射率与该固体激光器介质的折射率不同的包层（15a、15b）；LD阵列（1），在LD基板上形成被包覆层夹着的发光层，产生用于从端面激励固体激光器介质的激光；以及子固定架基板（5），在同一面上形成两种厚度的接合层（6a、7、70），平面波导型固体激光器元件在与设置了固体激光器基板的面相反的面中经由两种厚度的接合层中的一种厚度的接合层而接合到子固定架基板，LD阵列在发光层侧的面中经由两种厚度的接合层中的另一种厚度的接合层而接合到子固定架基板。
其他摘要	本发明的目的在于通过简单的构造获得高效的半导体激光器激励固体激光器。因此具备：配置在固体激光器基板（2）上的平面波导型固体激光器元件（101），在板状的固体激光器介质（3）的两面形成折射率与该固体激光器介质的折射率不同的包层（15a、15b）；LD阵列（1），在LD基板上形成被包覆层夹着的发光层，产生用于从端面激励固体激光器介质的激光；以及子固定架基板（5），在同一面上形成两种厚度的接合层（6a、7、70），平面波导型固体激光器元件在与设置了固体激光器基板的面相反的面中经由两种厚度的接合层中的一种厚度的接合层而接合到子固定架基板，LD阵列在发光层侧的面中经由两种厚度的接合层中的另一种厚度的接合层而接合到子固定架基板。
申请日期	2011-11-16
专利号	CN103875139A
专利状态	失效
申请号	CN201180074189.3
公开（公告）号	CN103875139A
IPC 分类号	H01S3/094 \| H01S3/02 \| H01S3/06
专利代理人	金光华
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44107
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	玉谷基亮,横山彰. 半导体激光器激励固体激光器. CN103875139A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN103875139A.PDF（954KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文