Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導體發光裝置及其製造方法 | |
| 其他题名 | 半導體發光裝置及其製造方法 |
| 內田史朗; 東條剛 | |
| 专利权人 | 新力股份有限公司 |
| 公开日期 | 2006-05-01 |
| 授权国家 | 中国台湾 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本發明之目的在於提供一種可改善雷射光束之縱橫比，使其接近圓形之半導體發光裝置及其製造方法，為此而使該半導體發光裝置之構造為：於基板10上疊層有第1導電型之第1覆蓋層11、活性層12、以及一部分成為隆起形狀RD作為電流狹窄構造之第2導電型之第2覆蓋層17，該隆起形狀部分之上述第2覆蓋層包含距離活性層較近側且帶隙較高之第1隆起形狀層15、與距離活性層較遠側且帶隙較低之第2隆起形狀層16。於基板上藉由磊晶生長法，疊層形成第1覆蓋層、活性層以及第2導電型之第2覆蓋層，將第2覆蓋層之一部分加工為隆起形狀，形成第2覆蓋層時以於成為隆起形狀之部分含有第1隆起形狀層與第2隆起形狀層之方式製造。 |
| 其他摘要 | 本發明之目的在於提供一種可改善雷射光束之縱橫比，使其接近圓形之半導體發光裝置及其製造方法，為此而使該半導體發光裝置之構造為：於基板10上疊層有第1導電型之第1覆蓋層11、活性層12、以及一部分成為隆起形狀RD作為電流狹窄構造之第2導電型之第2覆蓋層17，該隆起形狀部分之上述第2覆蓋層包含距離活性層較近側且帶隙較高之第1隆起形狀層15、與距離活性層較遠側且帶隙較低之第2隆起形狀層16。於基板上藉由磊晶生長法，疊層形成第1覆蓋層、活性層以及第2導電型之第2覆蓋層，將第2覆蓋層之一部分加工為隆起形狀，形成第2覆蓋層時以於成為隆起形狀之部分含有第1隆起形狀層與第2隆起形狀層之方式製造。 |
| 申请日期 | 2005-06-16 |
| 专利号 | TW200614611A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | TW094120060 |
| 公开（公告）号 | TW200614611A |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01S5/22 | H01S5/223 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 陳長文 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43934 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新力股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 內田史朗,東條剛. 半導體發光裝置及其製造方法. TW200614611A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| TW200614611A.PDF（2389KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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