Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| III-V 族半導体基板表面の処理方法 | |
| 其他题名 | III-V 族半導体基板表面の処理方法 |
| 伊藤 哲; 樋江井 太; 野口 裕泰; 石橋 晃 | |
| 专利权人 | SONY CORP |
| 公开日期 | 1996-02-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【目的】 III-V 族半導体基板表面を、これの上にII-VI 族化合物半導体層を良好にエピタキシャル成長できるような表面処理を可能にする。 【構成】 III-V 族基板を加熱しながら固体塩素化合物を原料とする分子線を基板表面に照射する表面処理工程を採る。 |
| 其他摘要 | 可以令人满意地外延生长II-VI族化合物半导体层的III-V族半导体衬底表面上的表面处理。 采用使用固体氯化合物作为原料同时加热III-V族基板的分子束照射基板表面的表面处理步骤。 |
| 申请日期 | 1994-07-27 |
| 专利号 | JP1996045843A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994175718 |
| 公开（公告）号 | JP1996045843A |
| IPC 分类号 | H01L33/40 | H01L21/203 | H01L33/06 | H01S5/00 | H01L33/28 | H01L33/00 | H01S3/18 |
| 专利代理人 | 松隈 秀盛 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43907 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 伊藤 哲,樋江井 太,野口 裕泰,等. III-V 族半導体基板表面の処理方法. JP1996045843A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1996045843A.PDF（33KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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