Manufacture of semiconductor element

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	Manufacture of semiconductor element
其他题名	Manufacture of semiconductor element
	MIYAZAWA SEIICHI; OTSUKA MITSURU
专利权人	CANON INC
公开日期	1988-04-14
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To form a fine P-N region by a simple process by forming steps on a substrate, and constructing to control the conductivity type of a semiconductor layer to be formed on the substrate. CONSTITUTION:Projections are first formed by etching in a reverse mesa direction on an N-type GaAs substrate 22. Then, an Si-doped GaAs layer 23 is laminated thereon. As a result, a P-type layer is grown on a part designated by shaded parts on an oblique surfaces, and an N-type GaAs is grown on the other part. An N-type GaAs layer 24 is further formed thereon, and electrodes 25, 26 are eventually formed. When a voltage is applied between the electrodes 25, 26 in a static induction type transistor manufactured in this manner, a current flows to the channel of the layer 23, and a depleted layer is extended to the respective layers according to the p-type part of the layer 23 and the carrier concentration of the layer 22. Among them, the layer 22 of lower concentration is largely extended at the depleted layer, and a current 29 is controlled by varying the extension of the depleted layer of the layer 22 by a voltage to be applied to the layer 23.
其他摘要	目的：通过在基板上形成台阶，通过简单的工艺形成精细的P-N区域，并构造以控制在基板上形成的半导体层的导电类型。组成：首先通过在N型GaAs衬底22上以反向台面方向蚀刻来形成凸起。然后，在其上层叠Si掺杂的GaAs层23。结果，在倾斜表面上由阴影部分指定的部分上生长P型层，在另一部分上生长N型GaAs。在其上进一步形成N型GaAs层24，并最终形成电极25,26。当以这种方式制造的静电感应型晶体管中的电极25,26之间施加电压时，电流流到层23的沟道，并且耗尽层根据p型部分延伸到各层。其中，较低浓度的层22在耗尽层处大部分延伸，并且通过改变层22的耗尽层的延伸来控制电流29，其中，层22的层22和层22的载流子浓度。施加到层23的电压。
申请日期	1986-09-26
专利号	JP1988084015A
专利状态	失效
申请号	JP1986229085
公开（公告）号	JP1988084015A
IPC 分类号	H01L21/20 \| H01L21/76 \| H01L27/095 \| H01L29/80 \| H01S5/00 \| H01S5/042 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43900
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CANON INC
推荐引用方式 GB/T 7714	MIYAZAWA SEIICHI,OTSUKA MITSURU. Manufacture of semiconductor element. JP1988084015A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1988084015A.PDF（325KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文