Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 化合物半導体の形成方法及び半導体装置 | |
| 其他题名 | 化合物半導体の形成方法及び半導体装置 |
| 河田 雅彦; 後藤 順; 赤松 正一; 皆川 重量 | |
| 专利权人 | HITACHI LTD |
| 公开日期 | 1998-10-27 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】p型GaNをMOCVDを用いて結晶成長するときに生ずる水素とMgとの結合によるp-GaNの高抵抗化を防止する。 【解決手段】レーザ構造のp型クラッド層までをMOCVDで形成し、p-GaNコンタクト層のみをMBEで成長する。また、MBE成長ではMEE法を使い、不純物をIII族元素であるGaと同時に供給し、確実にIII族サイトに留め、アクセプタの補償を防ぐ。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过一种方法获得其中载流子浓度增加的化合物半导体，其中，在分子束外延操作中，其中仅提供V族元素一定时间的过程，其中在表面扩散操作完成后，将III族元素供给一定时间，以便在规定的位置沉降，并且重复供给V族元素，同时向第III族元素供给Mg或碳。解决方案：在蓝宝石衬底1上生长低温GaN缓冲层2为30μm，衬底温度为950℃。之后，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长未掺杂的GaN层3，使其为3μm，并且衬底温度为105℃。蓝宝石衬底从MOCVD设备传送到分子束外延（MBE）设备，并且Mg掺杂的GaN层生长为1μm。然后，供应氮气10秒钟。然后，通过夹着5秒的间隔同时供给Ga和Mg 10秒钟。之后，通过夹住间隔再次供应氮气。当重复该过程直到获得规定的膜厚度时，可以生长重掺杂的p型GaN层，其中Mg存储在Ga位点中。 |
| 申请日期 | 1997-04-15 |
| 专利号 | JP1998290048A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1997096917 |
| 公开（公告）号 | JP1998290048A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01L21/203 | H01L33/12 | H01L33/06 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01S3/18 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 小川 勝男 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43866 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河田 雅彦,後藤 順,赤松 正一,等. 化合物半導体の形成方法及び半導体装置. JP1998290048A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP1998290048A.PDF（26KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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