Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体レーザチップ及び半導体レーザ素子 | |
| 其他题名 | 半導体レーザチップ及び半導体レーザ素子 |
| 長尾 泰志 | |
| 专利权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 公开日期 | 2009-11-12 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】活性層から垂直方向へしみ出す光の吸収を容易に低減するとともに、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明における半導体レーザチップ1は、活性層を含む発光層6の上方と下方に備えられるとともに活性層よりも屈折率の低いn型クラッド層5と、p型第1クラッド層7及びp型第2クラッド層11と、を備える。そして、n型クラッド層5の下面にn型吸収低減層4が備えられるとともに、p型第2クラッド層11の上面にp型吸収低減層12が備えられる。n型吸収低減層4はn型クラッド層5よりもAl組成比が大きく、p型吸収低減層12はp型第2クラッド層11よりもAl組成比が大きい。 【選択図】図1 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：提供高度可靠的半导体激光器元件，可以轻松减少垂直泄漏出有源层的光线吸收。解决方案：半导体激光器芯片1包括设置在包括有源层并且具有比有源层低的折射率的发光层6上方和下方的n型覆层5，以及p型第一覆层7和p。然后，在n型覆盖层5的下表面上设置n型吸收减少层4，并且在p型上表面上设置p型吸收减少层12。 n型吸收减少层4具有比n型覆盖层5更大的Al组分比，并且p型吸收减少层12具有比p型第二覆盖层更大的Al组分比。包层1Ž |
| 申请日期 | 2008-04-22 |
| 专利号 | JP2009266854A |
| 专利状态 | 申请中 |
| 申请号 | JP2008110911 |
| 公开（公告）号 | JP2009266854A |
| IPC 分类号 | H01S5/20 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | ▲角▼谷 浩 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43704 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 長尾 泰志. 半導体レーザチップ及び半導体レーザ素子. JP2009266854A. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2009266854A.PDF（163KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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