Optical semiconductor element and production thereof

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	Optical semiconductor element and production thereof
其他题名	Optical semiconductor element and production thereof
	TANAKA HIDEAKI; SUZUKI MASATOSHI; MATSUSHIMA YUICHI
专利权人	KOKUSAI DENSHIN DENWA CO LTD
公开日期	1990-08-24
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:To lower the oscillation threshold by disposing a semi-insulating semiconductor having the refractive index smaller than the refractive index of a semiconductor layer constituting a light guide layer over the entire part on the outer periphery of the light guide. CONSTITUTION:An n type InP layer 12 which is the 1st clad layer forming the light guide, an InGaAsP modulating waveguide layer 13, and a p type InP layer 14 which is the 2nd clad layer are embedded on an n type InP substrate 11 by iron-coped semi-insulating InP 15 over the entire part of the outer periphery to constitute this element. A p type InGaAsP contact layer 16 and the p type InP layer 14 in the upper part of the clad layer are connected by a zinc-diffused layer 18 in the p type region. Current narrowing is, therefore, sufficiently executed in a transverse direction by rereading the InGaAsP light guide layer 13 with a light emitting layer and supplying a positive power source to a p side InGaAsP 19 and a negative power source to an n side InGaAsP 20, by which the flush type semiconductor eraser of the low oscillation threshold is obtd.
其他摘要	用途：通过在光导的外周上的整个部分上设置折射率小于构成导光层的半导体层的折射率的半绝缘半导体来降低振荡阈值。组成：作为形成光导的第一包层的n型InP层12，InGaAsP调制波导层13和作为第二包层的p型InP层14通过铁嵌入n型InP基板11中。在外周的整个部分上涂覆半绝缘InP 15以构成该元件。p型InGaAsP接触层16和包层上部的p型InP层14通过p型区域中的锌扩散层18连接。因此，通过用发光层重新涂覆InGaAsP光导层13并向p侧InGaAsP 19提供正电源和向n侧InGaAsP 20提供负电源，在横向方向上充分地执行电流变窄。低振荡阈值的齐平型半导体擦除器是很好的。
申请日期	1989-02-14
专利号	JP1990212804A
专利状态	失效
申请号	JP1989032891
公开（公告）号	JP1990212804A
IPC 分类号	G02B6/122 \| G02B6/12 \| G02B6/13 \| G02F1/025 \| H01L27/15 \| H01S5/00 \| H01S3/18
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43682
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	KOKUSAI DENSHIN DENWA CO LTD
推荐引用方式 GB/T 7714	TANAKA HIDEAKI,SUZUKI MASATOSHI,MATSUSHIMA YUICHI. Optical semiconductor element and production thereof. JP1990212804A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP1990212804A.PDF（413KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文