Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement

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	Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement
其他题名	Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement
	CHOQUETTE, KENT DENNIS; FREUND, ROBERT S.; HONG, MINGHWEI
专利权人	AT&T CORP.
公开日期	1993-09-29
授权国家	欧洲专利局
专利类型	发明申请
摘要	The present applicants have discovered that one can make a surface emitting laser with enhanced optical confinement and improved heat sinking characteristics by etching away portions of the growth layers peripheral to the intended laser cavity and regrowing peripheral regions of material (24A,24B) having a lower index of refraction than the active region. Using low damage etching and either in situ regrowth or hydrogen plasma cleaning followed by regrowth, a surface emitting laser having enhanced optical isolation and heat sinking characteristics can be made.
其他摘要	本申请人已经发现，通过蚀刻掉预期激光腔外围的生长层的部分并重新生长具有较低激光腔的材料（24A，24B）的周边区域，可以制造具有增强的光学限制和改善的散热特性的表面发射激光器。折射率比活动区域。使用低损伤蚀刻和原位再生或氢等离子体清洁然后再生长，可以制造具有增强的光学隔离和散热特性的表面发射激光器。
申请日期	1993-03-18
专利号	EP0562769A2
专利状态	失效
申请号	EP1993302072
公开（公告）号	EP0562769A2
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/00 \| H01S5/183 \| H01S3/085
专利代理人	-
代理机构	WATTS, CHRISTOPHER MALCOLM KELWAY, DR.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43645
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	AT&T CORP.
推荐引用方式 GB/T 7714	CHOQUETTE, KENT DENNIS,FREUND, ROBERT S.,HONG, MINGHWEI. Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement. EP0562769A2.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
EP0562769A2.PDF（416KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文