Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base

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	Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base
其他题名	Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base
	HORIKOSHI YOSHIHARU; FURUKAWA YOSHITAKA
专利权人	NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE
公开日期	1976-10-07
授权国家	日本
专利类型	发明申请
摘要	PURPOSE:Liquid phase epitaxial growth conducted in an atmosphere containing halogen compounds to promote growth of ALyCa1-yAs(or GaAs) on an ALxGa1xAs base without meltback process.
其他摘要	目的：在含有卤素化合物的气氛中进行液相外延生长，以促进ALxGa1xAs（或GaAs）在ALxGa1xAs基底上的生长，而无需回熔工艺。
申请日期	1975-04-01
专利号	JP1976114067A
专利状态	失效
申请号	JP1975039394
公开（公告）号	JP1976114067A
IPC 分类号	C30B19/00 \| C30B29/40 \| H01L21/208 \| H01L33/14 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| B01J17/24
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43630
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NIPPON TELEGRAPH & TELEPHONE
推荐引用方式 GB/T 7714	HORIKOSHI YOSHIHARU,FURUKAWA YOSHITAKA. Liquid phase epitaxial growth towards the top of alxga11xas base. JP1976114067A.