Ultra-low dislocation density group iii - nitride semiconductor substrates grown via NANO-or micro-particle film

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	Ultra-low dislocation density group iii - nitride semiconductor substrates grown via NANO-or micro-particle film
其他题名	Ultra-low dislocation density group iii - nitride semiconductor substrates grown via NANO-or micro-particle film
	VARANGIS, PETROS, M.; ZHANG, LEI
专利权人	NANOCRYSTAL CORPORATION
公开日期	2009-06-04
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	A high quality Group III - Nitride semiconductor crystal with ultra-low dislocation density is grown epitaxially on a substrate via a particle film with multiple vertically- arranged layers of spheres with innumerable micro- and/or nano-voids formed among the spheres. The spheres can be composed of a variety of materials, and in particular silica or silicon dioxide (SiO2).
其他摘要	具有超低位错密度的高质量III族 - 氮化物半导体晶体通过具有多个垂直排列的球体层的颗粒膜在衬底上外延生长，在球体之间形成无数的微孔和/或纳米空隙。球体可由多种材料组成，特别是二氧化硅或二氧化硅（SiO 2）。
申请日期	2008-11-25
专利号	WO2009070625A1
专利状态	未确认
申请号	PCT/US2008/084763
公开（公告）号	WO2009070625A1
IPC 分类号	H01L21/00
专利代理人	FARN, MICHAEL, W.
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43582
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	NANOCRYSTAL CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	VARANGIS, PETROS, M.,ZHANG, LEI. Ultra-low dislocation density group iii - nitride semiconductor substrates grown via NANO-or micro-particle film. WO2009070625A1.