후면 ＵＶ 노출을 이용한 레이저 다이오드용 금속 접촉 구조체의 제조방법

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	후면 ＵＶ 노출을 이용한 레이저 다이오드용 금속 접촉 구조체의 제조방법
其他题名	후면 ＵＶ 노출을 이용한 레이저 다이오드용 금속 접촉 구조체의 제조방법
	자흐,청 엔; 씨,징쿤
专利权人	코닝 인코포레이티드
公开日期	2010-03-04
授权国家	韩国
专利类型	发明申请
摘要	본 발명자들은 반도체 웨이퍼 상에서의 패턴들 및 마스크 패턴들 사이에서 인덱스-가이디드 레이저 다이오드(index-guided laser diode) 제조에 있어서의 레지스트레이션 에러(registration error)가 리지 탑(ridge top)상에서 p-접촉 금속(p-contact metal) 및 접촉 개구(contact opening) 사이의 부정합(misalignment)의 결과로서 전류 누설(current leakage)을 초래할 수 있음을 발견하였다. 본 발명의 일구체예에 따라, 레지스트레이션 에러가 제거된 레이저 다이오드용 금속 접촉 구조체의 제조방법이제공된다. 상기 방법은, UV 투명 반도체 기판, 상기 UV 투명 반도체 기판에 있어서 적층되면서 에칭된 에피층에지(edges)들 사이에 적층된 리지(ridge)를 한정하는 UV 투명 반도체 에피층을 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 에피층 리지에 있어서 UV 불투명 금속층을 제공한다. 상기 방법은 적어도 하나의 포지티브형 포토레지스트 층을 상기 불투명 금속 층 및 에피층 에지들에 적용하고, UV 광에 후면 노출시켜 에피층 에지들에 있어서적층된 상기 포지티브형 포토레지스트 층의 영역을 선택적으로 현상시키는 단계를 더욱 포함한다. 상기 후면 UV노출에 의해, UV 광은 UV 투명 반도체 기판의 바닥면(bottom surface)을 통해 먼저 전달된다. 상기 불투명 금속층은 상기 불투명 금속에 있어서 적층된 포지티브형 포토레지스트 층의 영역을 UV 광에 노출되는 것을 막아서선택적 현상을 촉진시킨다. 또한, 상기 방법은 상기 에피층 에지들에 있어서 상기 현상된 포토레지스트 영역을제거하는 단계, 상기 미현상된 포토레지스트 영역들 및 에피층 에지들에 있어서 유전층을 적용시키는 단계, 상기 미현상된 포토레지스트 영역들 및 상기 미현상된 포토레지스트 영역들에 있어서 적층된 유전층의 일부를 제거하는 단계; 및 상기 유전층 및 불투명 금속층에 있어서 금속층을 적용하여 금속 접촉 구조체가 형성되는단계;를 포함한다. 또 다른 구체예에서, 이미지 변환 포토레지스트(image reversal photoresist)를 이용한 레이저 다이오드용 금속접촉 구조체를 제조하는 또 다른 방법이 제공된다. 상기 방법은, 하나의 UV 투명 유전층을 상기 불투명 금속 층및 에피층 에지들에 적용하는 단계; 및 상기 UV 투명 유전층에 적어도 하나의 이미지 변환 포토레지스트 층을적용하는 단계; 및 UV 광에 후면 노출시켜 에피층 에지들에 있어서 적층된 상기 이미지 변환 포토레지스트 층의영역을 선택적으로 현상시키는 단계를 포함한다. 또한 상기 방법은, 포토레지스트 베이킹(photoresist baking)에 의해 상기 에피층 에지들에 있어서 현상된 포토레지스트 영역들을 안정화시키는 단계; 및 그 후 UV 광에 상기 이미지 변환 포토레지스트 층의 상부 표면을 노출시켜 상기 불투명 금속에 있어서 적층된 이미지 변환 포토레지스트 층의 영역을 선택적으로 현상하는 단계를 포함한다. 상기 포토레지스트 베이킹 단계는 상기 에피층 에지들에 있어서 포토레지스트 영역의 UV 광 민감성을 무력화시킨다. 또한, 상기 방법은 불투명 금속층에 있어서현상된 포토레지스트 영역을 제거하는 단계; 상기 에피층 에지들에 있어서 상기 현상된 포토레지스트 영역을 제거하는 단계; 및 상기 유전층 및 불투명 금속층에 있어서 금속층을 적용하여 레이저 다이오드의 금속 접촉 구조체가 형성되는 단계를 포함한다. 또 다른 구체예에 따라서, 네거티브형 포토레지스트를 이용한 레이저 다이오드용 금속 접촉 구조체를 제조하기위한 방법이 제공된다. 상기 방법은 UV 투명 유전층을 상기 불투명 금속 층 및 에피층 에지들에 적용하는 단계;상기 UV 투명 유전층에 있어서 적어도 하나의 네거티브형 포토레지스트 층을 적용하는 단계; 및 상기 에피층 에지들에 있어서 포토레지스트 영역들에 UV 광의 후면 노출을 제한하여 불투명 금속층에 있어서 적층된 상기 네거티브형 포토레지스트 층의 영역을 선택적으로 현상시키고 연속적으로 포토레지스트 베이킹시키는 단계를 포함한다. 상기 방법은 더욱 불투명 금속층에 있어서 현상된 포토레지스트 영역을 제거하는 단계; 상기 에피층 에지들에 있어서 상기 안정화된 포토레지스트 영역을 제거하는 단계; 및 상기 유전층 및 불투명 금속층에 있어서 금속층을 적용하여 레이저 다이오드의 접촉 구조체가 형성되는 단계를 포함한다.
其他摘要	提供了制造用于激光二极管的金属接触结构的方法，其中该方法包括提供UV透明半导体衬底，UV透明半导体外延层，其限定设置在蚀刻外延层边缘之间的脊，外延层设置在UV透明半导体衬底上，设置在外延层脊上的UV不透明金属层，在不透明金属层和外延层边缘上施加至少一个光致抗蚀剂层（正性光致抗蚀剂，图像反转光致抗蚀剂或负性光致抗蚀剂），并通过背面曝光选择性地显影光致抗蚀剂层的区域使用不透明金属层作为光刻掩模的紫外线.COPYRIGHT KIPO 0026＃WIPO 2010
申请日期	2008-05-28
专利号	KR1020100023926A
专利状态	失效
申请号	KR1020097027458
公开（公告）号	KR1020100023926A
IPC 分类号	H01S5/323 \| H01L21/00
专利代理人	청운특허법인
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43573
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	코닝 인코포레이티드
推荐引用方式 GB/T 7714	자흐,청 엔,씨,징쿤. 후면 ＵＶ 노출을 이용한 레이저 다이오드용 금속 접촉 구조체의 제조방법. KR1020100023926A.

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文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
KR1020100023926A.PDF（581KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文