Method for growth of semipolar (al,in,ga,b)n optoelectronic devices

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Method for growth of semipolar (al,in,ga,b)n optoelectronic devices
其他题名	Method for growth of semipolar (al,in,ga,b)n optoelectronic devices
	ZHONG HONG; KAEDING JOHN FRANCIS; SHARMA RAJAT; SPECK JAMES STEPHEN; DENBAARS STEVEN P; NAKAMURA SHUJI
专利权人	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
公开日期	2007-11-08
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	A method of fabricating an optoelectronic device, comprising growing an active layer of the device on an oblique surface of a suitable material, wherein the oblique surface comprises a facetted surface. The present invention also discloses a method of fabricating the facetted surfaces. One fabrication process comprises growing an epitaxial layer on a suitable material, etching the epitaxial layer through a mask to form the facets having a specific crystal orientation, and depositing one or more active layers on the facets. Another method comprises growing a layer of material using a lateral overgrowth technique to produce a facetted surface, and depositing one or more active layers on the facetted surfaces. The facetted surfaces are typically semipolar planes.
其他摘要	一种制造光电器件的方法，包括在合适材料的倾斜表面上生长器件的有源层，其中倾斜表面包括刻面表面。本发明还公开了一种制造刻面表面的方法。一种制造工艺包括在合适的材料上生长外延层，通过掩模蚀刻外延层以形成具有特定晶体取向的小平面，以及在小平面上沉积一个或多个有源层。另一种方法包括使用横向过生长技术生长材料层以产生刻面表面，并在刻面表面上沉积一个或多个有源层。刻面表面通常是半极性平面。
申请日期	2007-02-20
专利号	WO2007098215A8
专利状态	未确认
申请号	PCT/US2007/004533
公开（公告）号	WO2007098215A8
IPC 分类号	H01L21/00 \| H01L33/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43551
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
推荐引用方式 GB/T 7714	ZHONG HONG,KAEDING JOHN FRANCIS,SHARMA RAJAT,et al. Method for growth of semipolar (al,in,ga,b)n optoelectronic devices. WO2007098215A8.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
WO2007098215A8.PDF（1488KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文