Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
其他题名	Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
	HASKELL, BENJAMIN, A.; CRAVEN, MICHAEL, D.; FINI, PAUL, T.; DENBAARS, STEVEN, P.; SPECK, JAMES, S.; NAKAMURA, SHUJI
专利权人	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
公开日期	2004-07-22
授权国家	世界知识产权组织
专利类型	发明申请
摘要	Lateral epitaxial overgrowth (LEO) of non-polar a-plane gallium nitride (GaN) films by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) results in significantly reduced defect density.
其他摘要	通过氢化物气相外延（HVPE）的非极性a面氮化镓（GaN）膜的横向外延过生长（LEO）导致缺陷密度显着降低。
申请日期	2003-07-15
专利号	WO2004061909A1
专利状态	未确认
申请号	PCT/US2003/021918
公开（公告）号	WO2004061909A1
IPC 分类号	H01L21/205 \| C30B25/02 \| H01L21/20 \| H01L21/00
专利代理人	GATES, GEORGE, H.
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43461
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
推荐引用方式 GB/T 7714	HASKELL, BENJAMIN, A.,CRAVEN, MICHAEL, D.,FINI, PAUL, T.,et al. Growth of reduced dislocation density non-polar gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy. WO2004061909A1.