Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy

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	Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
其他题名	Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy
	HASKELL, BENJAMIN A.; FINI, PAUL T.; MATSUDA, SHIGEMASA; CRAVEN, MICHAEL D.; DENBAARS, STEVEN P.; SPECK, JAMES S.; NAKAMURA, SHUJI
专利权人	THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER
公开日期	2006-01-12
授权国家	美国
专利类型	发明申请
摘要	Highly planar non-polar a-plane GaN films are grown by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The resulting films are suitable for subsequent device regrowth by a variety of growth techniques
其他摘要	通过氢化物气相外延（HVPE）生长高度平面的非极性a面GaN膜。所得薄膜适合于通过各种生长技术进行随后的装置再生长
申请日期	2003-07-15
专利号	US20060008941A1
专利状态	授权
申请号	US10/537385
公开（公告）号	US20060008941A1
IPC 分类号	H01L21/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43460
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	THE JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY CENTER
推荐引用方式 GB/T 7714	HASKELL, BENJAMIN A.,FINI, PAUL T.,MATSUDA, SHIGEMASA,et al. Growth of planar, non-polar a-plane gallium nitride by hydride vapor phase epitaxy. US20060008941A1.