Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method | |
其他题名 | Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method |
TRASSOUDAINE, AGNES; CADORET, ROBERT; AUJOL, ERIC | |
专利权人 | CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) |
公开日期 | 2003-01-16 |
授权国家 | 美国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | A process for producing an epitaxial layer of gallium nitride (GaN) by hydride vapor-phase epitaxy (HVPE), as well as to the epitaxial layers which can be obtained by this process are provided. Such a process makes it possible to avoid parasitic GaN deposition on the walls of the reactor. |
其他摘要 | 提供了一种通过氢化物气相外延(HVPE)制造氮化镓(GaN)外延层的方法,以及可通过该方法获得的外延层。这种方法可以避免在反应器壁上寄生GaN沉积。 |
申请日期 | 2001-06-29 |
专利号 | US20030013222A1 |
专利状态 | 失效 |
申请号 | US09/893752 |
公开(公告)号 | US20030013222A1 |
IPC 分类号 | C30B25/10 | H01L21/00 | C30B23/00 | C30B25/00 |
专利代理人 | - |
代理机构 | - |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43402 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | TRASSOUDAINE, AGNES,CADORET, ROBERT,AUJOL, ERIC. Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method. US20030013222A1. |
条目包含的文件 | 条目无相关文件。 |
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