Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method

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	Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method
其他题名	Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method
	TRASSOUDAINE, AGNES; CADORET, ROBERT; AUJOL, ERIC
专利权人	CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
公开日期	2003-01-16
授权国家	美国
专利类型	发明申请
摘要	A process for producing an epitaxial layer of gallium nitride (GaN) by hydride vapor-phase epitaxy (HVPE), as well as to the epitaxial layers which can be obtained by this process are provided. Such a process makes it possible to avoid parasitic GaN deposition on the walls of the reactor.
其他摘要	提供了一种通过氢化物气相外延（HVPE）制造氮化镓（GaN）外延层的方法，以及可通过该方法获得的外延层。这种方法可以避免在反应器壁上寄生GaN沉积。
申请日期	2001-06-29
专利号	US20030013222A1
专利状态	失效
申请号	US09/893752
公开（公告）号	US20030013222A1
IPC 分类号	C30B25/10 \| H01L21/00 \| C30B23/00 \| C30B25/00
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43402
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
推荐引用方式 GB/T 7714	TRASSOUDAINE, AGNES,CADORET, ROBERT,AUJOL, ERIC. Process for producing an epitaxial layer of gallium nitride by the HVPE method. US20030013222A1.