Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
一种激光芯片封装结构及其封装方法 | |
其他题名 | 一种激光芯片封装结构及其封装方法 |
王之奇 | |
专利权人 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
公开日期 | 2019 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 发明申请 |
摘要 | 本申请公开一种激光芯片封装结构及其封装方法,所述封装结构包括:有机基板、倒装绑定在所述有机基板表面的MEMS芯片,以及固定在有机基板上的VCSEL芯片,有机基板上设置有连接端、第一互联电路和第二互联电路,第一互联电路电性连接MEMS芯片,第二互联电路电性连接VCSEL芯片,且第一互联电路和第二互联电路均连接所述连接端,所述连接端用于与外部电路电性连接。本发明中将MEMS芯片倒装在有机基板上,并采用Fanout结构实现VCSEL芯片和MEMS芯片的封装,由于无需其他辅助结构,如体积较大的框架结构和厚度较厚的陶瓷基板等,能够实现VCSEL芯片和MEMS芯片的集成,减小激光芯片封装结构的整体体积。 |
其他摘要 | 本申请公开一种激光芯片封装结构及其封装方法,所述封装结构包括:有机基板、倒装绑定在所述有机基板表面的MEMS芯片,以及固定在有机基板上的VCSEL芯片,有机基板上设置有连接端、第一互联电路和第二互联电路,第一互联电路电性连接MEMS芯片,第二互联电路电性连接VCSEL芯片,且第一互联电路和第二互联电路均连接所述连接端,所述连接端用于与外部电路电性连接。本发明中将MEMS芯片倒装在有机基板上,并采用Fanout结构实现VCSEL芯片和MEMS芯片的封装,由于无需其他辅助结构,如体积较大的框架结构和厚度较厚的陶瓷基板等,能够实现VCSEL芯片和MEMS芯片的集成,减小激光芯片封装结构的整体体积。 |
申请日期 | 2018-08-24 |
专利号 | CN109119885A |
专利状态 | 申请中 |
申请号 | CN201810972535.3 |
公开(公告)号 | CN109119885A |
IPC 分类号 | H01S5/022 | H01S5/183 | H01S5/00 | G02B26/08 | G02B26/10 | H01L23/498 | H01L21/50 |
专利代理人 | 李婷婷 | 王宝筠 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43319 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王之奇. 一种激光芯片封装结构及其封装方法. CN109119885A. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN109119885A.PDF(1473KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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