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一种激光芯片封装结构及其封装方法
其他题名一种激光芯片封装结构及其封装方法
王之奇
专利权人苏州晶方半导体科技股份有限公司
公开日期2019
授权国家中国
专利类型发明申请
摘要本申请公开一种激光芯片封装结构及其封装方法,所述封装结构包括:有机基板、倒装绑定在所述有机基板表面的MEMS芯片,以及固定在有机基板上的VCSEL芯片,有机基板上设置有连接端、第一互联电路和第二互联电路,第一互联电路电性连接MEMS芯片,第二互联电路电性连接VCSEL芯片,且第一互联电路和第二互联电路均连接所述连接端,所述连接端用于与外部电路电性连接。本发明中将MEMS芯片倒装在有机基板上,并采用Fanout结构实现VCSEL芯片和MEMS芯片的封装,由于无需其他辅助结构,如体积较大的框架结构和厚度较厚的陶瓷基板等,能够实现VCSEL芯片和MEMS芯片的集成,减小激光芯片封装结构的整体体积。
其他摘要本申请公开一种激光芯片封装结构及其封装方法,所述封装结构包括:有机基板、倒装绑定在所述有机基板表面的MEMS芯片,以及固定在有机基板上的VCSEL芯片,有机基板上设置有连接端、第一互联电路和第二互联电路,第一互联电路电性连接MEMS芯片,第二互联电路电性连接VCSEL芯片,且第一互联电路和第二互联电路均连接所述连接端,所述连接端用于与外部电路电性连接。本发明中将MEMS芯片倒装在有机基板上,并采用Fanout结构实现VCSEL芯片和MEMS芯片的封装,由于无需其他辅助结构,如体积较大的框架结构和厚度较厚的陶瓷基板等,能够实现VCSEL芯片和MEMS芯片的集成,减小激光芯片封装结构的整体体积。
申请日期2018-08-24
专利号CN109119885A
专利状态申请中
申请号CN201810972535.3
公开(公告)号CN109119885A
IPC 分类号H01S5/022 | H01S5/183 | H01S5/00 | G02B26/08 | G02B26/10 | H01L23/498 | H01L21/50
专利代理人李婷婷 | 王宝筠
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43319
专题半导体激光器专利数据库
作者单位苏州晶方半导体科技股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
王之奇. 一种激光芯片封装结构及其封装方法. CN109119885A.
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CN109119885A.PDF(1473KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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