非冷却光半导体装置

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	非冷却光半导体装置
其他题名	非冷却光半导体装置
	冈田规男
	2014-08-13
专利权人	三菱电机株式会社
公开日期	2014-08-13
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及非冷却光半导体装置。获得一种能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。半导体激光器（1）输出激光。电场吸收型光调制器（2）吸收激光的光量根据施加到电场吸收型光调制器（2）的电压而变化。在电场吸收型光调制器（2）吸收激光时产生光吸收电流。监视光电二极管（4）对半导体激光器（1）的背面光进行监视。APC（AutoPowerControl）电路（5）将监视光电二极管（4）的光接收电流对供给到半导体激光器（1）的偏置电流进行反馈。偏置电路（6）将电场吸收型光调制器（2）的光吸收电流的平均值对施加到电场吸收型光调制器（2）的偏置电压进行反馈。
其他摘要	本发明涉及非冷却光半导体装置。获得一种能够通过简单的结构正确地控制电场吸收型光调制器的偏置电压从而将光调制信号的平均强度保持为固定的非冷却光半导体装置。半导体激光器（1）输出激光。电场吸收型光调制器（2）吸收激光的光量根据施加到电场吸收型光调制器（2）的电压而变化。在电场吸收型光调制器（2）吸收激光时产生光吸收电流。监视光电二极管（4）对半导体激光器（1）的背面光进行监视。APC（AutoPowerControl）电路（5）将监视光电二极管（4）的光接收电流对供给到半导体激光器（1）的偏置电流进行反馈。偏置电路（6）将电场吸收型光调制器（2）的光吸收电流的平均值对施加到电场吸收型光调制器（2）的偏置电压进行反馈。
授权日期	2014-08-13
申请日期	2011-12-27
专利号	CN102593712B
专利状态	失效
申请号	CN201110443630.2
公开（公告）号	CN102593712B
IPC 分类号	H01S5/026 \| G02F1/017
专利代理人	何立波 \| 张天舒
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/43081
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	三菱电机株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	冈田规男. 非冷却光半导体装置. CN102593712B[P]. 2014-08-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102593712B.PDF（473KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文