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一种大功率671nm激光获取方法
其他题名一种大功率671nm激光获取方法
曹强; 潘昌基
2017-10-20
专利权人北京理工大学
公开日期2017-10-20
授权国家中国
专利类型授权发明
摘要本发明涉及提出一种大功率671nm激光获取方法,属于激光应用技术领域。本发明方法用弱功率的种子激光注入锁定常温波长为658nm的高功率激光二极管,用阈值调节法找到最佳注入点,以达到获得220mW的670.98nm单模激光的目的。本发明方法可操作性强,获得的锂原子冷却激光单模性好,功率大。
其他摘要本发明涉及提出一种大功率671nm激光获取方法,属于激光应用技术领域。本发明方法用弱功率的种子激光注入锁定常温波长为658nm的高功率激光二极管,用阈值调节法找到最佳注入点,以达到获得220mW的670.98nm单模激光的目的。本发明方法可操作性强,获得的锂原子冷却激光单模性好,功率大。
授权日期2017-10-20
申请日期2014-12-25
专利号CN104518418B
专利状态授权
申请号CN201410822249.0
公开(公告)号CN104518418B
IPC 分类号H01S3/0941 | H01S3/098 | H01S3/081 | H01S3/10
专利代理人唐华
代理机构北京理工正阳知识产权代理事务所(普通合伙)
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42964
专题半导体激光器专利数据库
作者单位北京理工大学
推荐引用方式
GB/T 7714
曹强,潘昌基. 一种大功率671nm激光获取方法. CN104518418B[P]. 2017-10-20.
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文件名称/大小 文献类型 版本类型 开放类型 使用许可
CN104518418B.PDF(125KB)专利 开放获取CC BY-NC-SA请求全文
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