面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法

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	面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
其他题名	面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法
	吉川昌宏; 櫻井淳; 山本将央
	2012-03-16
专利权人	富士ゼロックス株式会社
公开日期	2012-06-06
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】高温高湿環境下において故障の発生を抑制し寿命の長い面発光型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 VCSEL100は、基板102上に、n型のバッファ層104、n型の下部DBR106、活性領域108、電流狭窄層110、p型の上部DBR112、p型のGaAsコンタクト層114を含む半導体層が積層され、レーザ光を出射するポストPとパッド形成領域118とが半導体層に形成された溝116によって分離されている。そして、パッド形成領域118の外縁に、半導体槽をエッチングし基板に至る深さを有する外周溝140が形成され、外周溝140によって露出されたパッド形成領域の側面および表面(コンタクト層114)が層間絶縁膜120によって覆われている。【選択図】図3
其他摘要	要解决的问题：提供表面发射半导体激光设备，即使在高温高湿环境下也能解决问题，并确保产品周期长。 ΣSOLUTION：VCSEL 100在基板102上具有半导体层，该半导体层包括n型缓冲层104，n型下层DBR 106，有源区108，电流限制层110，p型上层DBR 112，激光束发射柱P和焊盘形成区118由形成在半导体层上的凹槽116分开。另外，焊盘形成区域118的外边界设置有周边凹槽140，该周边凹槽140通过半导体浴蚀刻具有到基板的深度，并且通过周边凹槽在焊盘形成区域中暴露的侧面和表面（接触层114） 140被层间绝缘膜120覆盖
授权日期	2012-03-16
申请日期	2005-12-22
专利号	JP4946041B2
专利状态	授权
申请号	JP2005369085
公开（公告）号	JP4946041B2
IPC 分类号	H01S5/183
专利代理人	片寄恭三 \| 片山修平
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42898
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士ゼロックス株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	吉川昌宏,櫻井淳,山本将央. 面発光型半導体レーザ装置およびその製造方法. JP4946041B2[P]. 2012-03-16.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP4946041B2.PDF（147KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文