激光二极管的静电防护装置

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	激光二极管的静电防护装置
其他题名	激光二极管的静电防护装置
	高云峰; 肖岗; 钟木荣; 陈建飞; 杨延青
	2008-06-18
专利权人	深圳市大族激光科技股份有限公司
公开日期	2008-06-18
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开一种激光二极管的静电防护装置，包括设于半导体激光器泵浦腔内的半导体激光二极管及与半导体激光二极管相连的电源正、负极，所述静电防护装置采用一双向瞬态抑制二极管任一端接入电源的正、负极端子，并联连接在泵浦腔内激光二极管两端。本实用新型瞬态抑制二极管能很好的抑制静电的冲击，把半导体激光二极管两端的电压限制在一个安全低压的范围，从而很好的防护半导体激光二极管。且双向的瞬态抑制二极管，可抑制由任何一个电源端子所引入的静电，同时使得在泵浦腔极小的空间下能够实现半导体激光二极管的防静电效果，结构简单，防静电效果佳。
其他摘要	本实用新型公开一种激光二极管的静电防护装置，包括设于半导体激光器泵浦腔内的半导体激光二极管及与半导体激光二极管相连的电源正、负极，所述静电防护装置采用一双向瞬态抑制二极管任一端接入电源的正、负极端子，并联连接在泵浦腔内激光二极管两端。本实用新型瞬态抑制二极管能很好的抑制静电的冲击，把半导体激光二极管两端的电压限制在一个安全低压的范围，从而很好的防护半导体激光二极管。且双向的瞬态抑制二极管，可抑制由任何一个电源端子所引入的静电，同时使得在泵浦腔极小的空间下能够实现半导体激光二极管的防静电效果，结构简单，防静电效果佳。
授权日期	2008-06-18
申请日期	2007-07-30
专利号	CN201075572Y
专利状态	失效
申请号	CN200720121892.6
公开（公告）号	CN201075572Y
IPC 分类号	H01S3/0941 \| H05F3/00 \| H01L23/60
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42726
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	深圳市大族激光科技股份有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	高云峰,肖岗,钟木荣,等. 激光二极管的静电防护装置. CN201075572Y[P]. 2008-06-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN201075572Y.PDF（264KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文