Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| Semiconductor diode laser array | |
| 其他题名 | Semiconductor diode laser array |
| BUUS, JENS; CARTER, ANDREW C. | |
| 1990-12-04 | |
| 专利权人 | PLESSEY OVERSEAS LIMITED |
| 公开日期 | 1990-12-04 |
| 授权国家 | 美国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | A semiconductor diode laser array device 1 capable of emitting a high optical power in a narrow beam, the device 1 comprising a surface emission multiridge waveguide structure in which emission can take place from a surface 4 occupying both a longitudinal and a lateral dimension of the device, the dimension in each case being much greater than the emitted light wavelength. Stability in one of said dimensions may be maintained by an array design having a spaced arrangement of laser elements positioned such that the optical field in one element partly overlaps that of a neighboring element. Preferably, the sum of the propagation constant and the coupling parameters to the neighboring elements equals the same value for all the elements in the array. |
| 其他摘要 | 一种能够在窄光束中发射高光功率的半导体二极管激光器阵列装置1，该装置1包括表面发射多桥波导结构，其中发射可以从占据该装置的纵向和横向尺寸的表面4发生。在每种情况下，尺寸远大于发射的光波长。所述尺寸之一中的稳定性可以通过阵列设计来维持，所述阵列设计具有间隔布置的激光元件，所述激光元件被定位成使得一个元件中的光场部分地与相邻元件的光场重叠。优选地，传播常数和相邻元件的耦合参数之和等于阵列中所有元素的相同值。 |
| 授权日期 | 1990-12-04 |
| 申请日期 | 1990-03-05 |
| 专利号 | US4975923 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | US07/490542 |
| 公开（公告）号 | US4975923 |
| IPC 分类号 | H01S5/42 | H01S5/183 | H01S5/00 | H01S5/187 | H01S3/19 |
| 专利代理人 | - |
| 代理机构 | FLEIT,JACOBSON,COHN,PRICE,HOLMAN & STERN |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42411 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PLESSEY OVERSEAS LIMITED |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | BUUS, JENS,CARTER, ANDREW C.. Semiconductor diode laser array. US4975923[P]. 1990-12-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| US4975923.PDF（476KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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