Semiconductor laser arrangement for high output powers in the lateral fundamental mode

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	Semiconductor laser arrangement for high output powers in the lateral fundamental mode
其他题名	Semiconductor laser arrangement for high output powers in the lateral fundamental mode
	HANKE, CHRISTIAN
	1990-12-11
专利权人	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
公开日期	1990-12-11
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor laser arrangement for high output power in the lateral fundamental mode. A semiconductor laser region is provided in which a waveguide is provided for wave guidance, this waveguide being dimensioned such that the laser emission oscillates in the fundamental mode perpendicularly to its propagation direction. The arrangement has a coupling region, and an intensification region in which the lateral wave guidance is cancelled and is provided with a contact for current injection.
其他摘要	一种半导体激光器装置，用于横向基模中的高输出功率。提供一种半导体激光器区域，其中提供波导用于波导，该波导的尺寸使得激光发射在垂直于其传播方向的基模中振荡。该装置具有耦合区域和增强区域，在该增强区域中横向波导被消除并且设置有用于电流注入的接触。
授权日期	1990-12-11
申请日期	1989-10-11
专利号	US4977567
专利状态	失效
申请号	US07/419707
公开（公告）号	US4977567
IPC 分类号	H01S5/50 \| H01S5/026 \| H01S5/16 \| H01S5/00 \| H01S3/19
专利代理人	-
代理机构	HILL,VAN SANTEN,STEADMAN & SIMPSON
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42398
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
推荐引用方式 GB/T 7714	HANKE, CHRISTIAN. Semiconductor laser arrangement for high output powers in the lateral fundamental mode. US4977567[P]. 1990-12-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US4977567.PDF（408KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文