半導体発光装置とその製造方法

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	半導体発光装置とその製造方法
其他题名	半導体発光装置とその製造方法
	玉村好司; 河角孝行; 平田照二
	2006-06-23
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2006-09-06
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】動作電流等の静特性に優れた、長寿命の半導体発光装置とその製造方法を提供するものである。【解決手段】 n型GaAs基板1上に0.3μm厚のn型GaAsバッファ層2と、1μm厚のn型AlGaInPクラッド層3と、GaInP/AlGaInPMQW構造の活性層4を順次成長させる。つぎに、活性層4の上にV/III比を下げた50nm厚のキャリア拡散抑制層9を成長させ、その上に1μm厚のp型AlGaInPクラッド層5と、0.1μm厚のp型GaInP層6と、0.3μm厚のp型GaAs電流キャップ層7を順次成長させる。その後、p型AlGaInPクラッド層5とp型GaInP層6およびp型GaAs電流キャップ層7を選択的にエッチングしてメサ構造を形成し、その後、n型GaAs電流ブロック層8をメサ構造の両側に成長させて積層し、半導体発光装置100を形成する。
其他摘要	要解决的问题：提供长寿命的半导体发光器件及其制造方法，其优于静态特性，例如工作电流等。解决方案：在n型GaAs衬底1上依次生长20.3μm厚的N型GaAs缓冲层，31μm厚的n型AlGaInP覆层，以及GaInP / AlGaIn PMQW结构的有源层4。在有源层4上生长具有降低的V / III比的950nm厚的载流子扩散抑制层，并且在其上，p型AlGaInP包层51μm厚，p型GaInP层60.1μm厚，并且p型按此顺序生长70.3μm厚的电流覆盖层的GaAs。在上述工艺之后，选择性地蚀刻p型AlGaInP包层5，p型GaInP层6和p型GaAs电流盖层7以形成台面结构，生长并层叠n型GaAs电流阻挡层8在台面结构的两侧，形成半导体发光器件100。
授权日期	2006-06-23
申请日期	1997-01-30
专利号	JP3817806B2
专利状态	失效
申请号	JP1997016536
公开（公告）号	JP3817806B2
IPC 分类号	H01S5/20 \| H01L33/06 \| H01L33/12 \| H01L33/30 \| H01S5/00 \| H01S5/32 \| H01S5/343
专利代理人	角田芳末 \| 磯山弘信
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42368
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	玉村好司,河角孝行,平田照二. 半導体発光装置とその製造方法. JP3817806B2[P]. 2006-06-23.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP3817806B2.PDF（49KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文